특히 나노기술 선진국에서는 이미 정부의 지원정책이 가시화되고 있고 제품상용화를 위한 투자가 확대되고있는 실정이다.
한국산업기술평가원은 최근 30개 국가를 대상으로 나노기술 지원정책을 조사한 결과를 담은 ‘국별 나노기술정책 비교 분석’ 보고서에서 미국은 2기 국가나노기술전략을 통해 산업화에 대한 지원을 강화하고 독일(나노기술개발전략)과 일본(나노기술·재료분야 추진전략)도 나노기술의 조기상업화에 주력하고 있는 것으로 나타났다.
각국의 나노기술에 대한 경쟁적 지원속에 투자 규모도 커져 2004년 세계 나노기술 투자규모는 37억달러로 전년보다 97% 증가했고 미국 정부의 경우 2001년 4억6천만달러에서 올해는 10억5천만달러로 배 이상 늘릴 것으로 확인됐다.
우리나라의 나노기술 투자도 2002년 2천121억원에서 올해는 4천504억원으로 배이상 늘어날 것으로 예상됐다.
이에따라 나노기술의 세계시장 규모는 2010년에 나노소재 430조원, 나노 소자. 기계 352조6천억원, 나노바이오 59조3천억원으로 성장할 것으로 전망됐다.
평가원은 우리나라도 이에 대응하기 위해 나노기술 개발에서 제품화되는 시간을 단축시키고 중소.벤처기업의 실패에 따른 피해를 최소화할 수 있도록 해야 한다고 밝혔다.
또한 경제에 큰 비중을 차지하는 핵심 산업분야를 선정하고 이에 필요한 기술을 우선 도출한뒤 이를 기반으로 중소기업 지원, 인력양성, 기반정비 전략을 수립할 필요성이 강조되고 있는 분야다.
● 나노반도체 소자 계면특성 분석법
나노반도체 소자의 산화막 계면 특성을 정밀 분석하는 방법이 세계 최초로 국내 연구진에 의해 개발됐다. 테라급나노소자개발사업단의 이희덕 충남대 교수 연구팀은 매그나칩반도체와 공동으로 `1.5 nm 이하의 절연막을 갖는 실리콘 소자에서 절연막과 실리콘 기판 사이의 계면 특성을 분석할 수 있는 `’온칩 전하 펌프(On-Chip Charge Pumping)’ 분석 방법을 개발했다.
이는 소자의 특성에 영향을 미치는 단계별 계면 결함 밀도변화를 정밀 측정하는데 도움을 줄 수 있는 기술로 나노소자 개발과 반도체 소자 개발 기술력 확대에 기여할 것으로 연구팀은 보고 있다.
연구팀은 “이번에 개발된 새로운 온칩 전하펌프 방법은 고주파의 온칩 주파수 발생 개념을 토대로 펄스 발생 및 펄스 전압 조절을 위한 회로를 웨이퍼 내에서 구현해 고주파 펄스를 생성하게 한 것이라고 설명했다.
일반적인 전하 펌프 방법은 두꺼운 산화막에서만 계면 결함 특성의 측정.분석이 가능했지만 나노미터(㎚)영역의 나노 CMOS(상보성금속산화막반도체)에서는 산화막이 얇아지면서 산화막을 통한 누설전류가 크게 증가, 기존 방법으로는 더 이상 계면 특성을 정확히 측정할 수 없어 문제점으로 지적돼 왔다.
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