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하이닉스반도체가 내년 상반기 30나노 반도체 비중을 60%로 늘린다. 이에 앞서 내년 초 20나노 제품의 본격적인 양산에 들어간다. 권오철(사진) 하이닉스 사장은 12일 일산 킨텍스에서 열린 '제11회 국제정보디스플레이 전시회'에서 "상반기에는 30나노가 어려웠지만 하반기 들어 흐름 좋아지고 있다"며 이같이 밝혔다, 권 사장은 "4ㆍ4분기는 30나노가 본격화되는 시점인 만큼 양산 비중이 늘어날 것"이라며 "올 하반기에는 40%, 내년 상반기에는 30나노가 60% 이상 될 것"이라고 예상했다. 그는 또 20나노 제품과 관련, "연내 개발을 마치고 내년부터 본격 양산에 돌입할 것"이라며 "30나노를 만든 신기술을 기반으로 개발을 진행 중인 만큼 20나노 개발은 더 수월하다"고 설명했다. 반도체 제조공정이 미세화될수록 반도체 크기를 줄일 수 있는데 한 개의 웨이퍼에서 더욱 많은 반도체를 생산할 수 있어 신기술은 원가 경쟁력 확보 차원에서 중요하다. 권 사장은 이어 "여러 경쟁 업체들이 투자를 줄이고 있어 내년에 가면 D램 생산량이 차츰 둔화될 것"이라며 "투자를 못해서 업그레이드를 못한 업체들은 굉장히 힘들 것이고 이에 따라 중장기적으로는 수급이 개선될 것"이라고 내다봤다.
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