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삼성전자, 올 한해 47.4조 ‘초격차’ 투자…DS에만 41조 쏟는다

올 투자 47.4조 집행…DS부문 40.9조

HBM 등 수요 대응·첨단 공정 전환 집중

22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2025'에 마련된 삼성전자 부스에 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4와 HBM3E 실물이 전시돼있다. 연합뉴스




삼성전자(005930)가 올 한해 47조 원이 넘는 대규모 시설투자를 단행한다. 인공지능(AI) 시장 확장 속도가 빨라진데 따라 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 제품 수요에 대응하기 위해 디바이스솔루션(DS)부문에만 41조 원에 육박하는 재원을 투입해 ‘초격차’를 공고히 한다는 전략이다.

30일 삼성전자는 올 한해 시설투자를 약 47조 4000억 원 규모로 집행할 예정이라고 밝혔다. 부문별로는 DS부문이 40조 9000억 원, 디스플레이(SDC)가 3조 3000억 원 수준이다. DS부문 투자는 HBM 등 고부가가치 제품 수요 대응을 위한 첨단공정 전환 및 기존 라인 보완에, SDC는 기존 라인 보완 및 성능 향상에 집중될 예정이다.



이 같은 대규모 투자는 3분기 ‘깜짝 실적(어닝 서프라이즈)’을 기록한 자신감을 바탕으로 한다. 삼성전자는 이날 3분기 연결 기준으로 매출 86조 1000억 원, 영업이익 12조 2000억 원의 확정 실적을 발표했다. 매출은 창사 이래 최대 분기 기록이다.

실적을 견인한 것은 DS부문이다. DS부문은 3분기 매출 33조 1000억 원, 영업이익 7조 원을 달성했다. HBM3E(5세대)의 전 고객사 양산 판매, HBM4(6세대) 샘플 출하 등 AI 수요에 적극 대응한 결과다.

DX부문도 ‘갤럭시 Z 폴드7’ 등 신제품 호조로 매출 48조 4000억 원, 영업이익 3조 5000억 원을 기록하며 힘을 보탰다. 삼성전자는 이번 투자를 바탕으로 2026년 HBM4 양산과 미국 테일러 팹(Fab) 본격 가동 등을 통해 미래 성장 동력을 확보해 나갈 방침이다.
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