SK하이닉스(000660)가 인텔에서 수십 년 경력의 낸드플래시 메모리 전문가를 잇달아 영입하면서 고성능 낸드 경쟁력 확보를 위한 연구개발(R&D) 역량 강화에 나섰다.
28일 업계에 따르면 SK하이닉스 아메리카는 이달 인텔 선임 수석 엔지니어인 리처드 패스토를 영입했다. 코넬대 박사 출신으로 인텔을 비롯해 AMD, 스팬션, 사이프러스 세미컨덕터 등을 거치면서 28년 간 실력을 쌓은 반도체 전문가다. 3D 낸드 등 반도체 분야에서 수십 개의 특허 출원에 기여하기도 했다.
6월에는 인텔 25년 경력을 포함해 30년 간 반도체 업계에서 메모리 설계 전문가로 활약한 레자울 하케가 SK하이닉스에 R&D 팀장급으로 합류했다. 11월에는 인텔에서 낸드 분야 등에서 13년 동안 일한 애리카 시플리가 역시 팀장급으로 자리를 옮기기도 했다.
이들은 모두 SK하이닉스가 고성능 낸드 R&D 역량 강화를 위해 미국 실리콘밸리 중심인 캘리포니아 새너제이에 새롭게 구축한 SK하이닉스 낸드개발 아메리카(SK HNA)에 주요 부서의 팀장급으로 편재 돼 연구개발 업무를 책임지고 있다. 실무 연구자급 약 30명으로 구성된 이 조직은 고성능 낸드 설계 등 관련 기술 개발에 집중하고 있다. 임원급 인력을 최소화하고 순수 연구개발 실무진 중심으로 짜 기술 경쟁력 강화에 특화한 조직이다.
SK하이닉스는 생성형 인공지능(AI)의 인기가 확산하는 가운데 새로운 메모리 수요처로 각광 받고 있는 온디바이스 AI에 주목하고 있다. 온디바이스 AI는 서버 대신 기기 자체에 생성형 AI를 탑재하는 기술인데, 서버에 접속하지 않는 특성 상 대규모 데이터를 자체 저장할 수 있는 낸드 기반 저장장치가 필수적이다.
SK하이닉스는 SK HNA를 중심으로 미국 내 연구개발 인력을 선점해 낸드 연구 거점으로 키워 나갈 방침이다. 인텔에서 인수한 자회사 솔리다임과의 시너지도 기대하고 있다. 고대역폭메모리(HBM)의 판매 호조 속에 삼성전자(005930)와의 D램 격차를 대폭 줄이는 데 성공한 SK하이닉스는 낸드에서도 선두 추격에 고삐를 당기고 있다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
jin@sedaily.com
