이 기술은 반도체 PIN 다이오드에 중성자가 입사하게 되면 중성자는 P(플러스)와 N(마이너스) 사이의 I(진성)영역에서 충돌, 반도체가 변형돼 손상된 모습을 띠게 되는데 이때 변형된 부분의 손상정도를 측정해 중성자의 양을 파악하고 이를 통해 방사선 선량을 알아내는 원리다. 이 기술은 방사선 작업현장인 원자력발전소나 병원의 X선 촬영실, 자연방사선에 노출돼 있는 항공우주분야, 중성자 성분을 갖고 있는 지뢰탐지 등에 활용됨으로써 향후 산업.의료.군사적으로 다양한 이용이 기대된다.
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