삼성전자(005930)가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발 핵심 인력에 이례적으로 자사주 성과급을 지급했다. 6세대 HBM인 HBM4의 핵심 칩 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 6세대 D램(1c D램) 개발에 기여한 공로를 특별 보상한 것이다. ‘메모리 명가’ 재건을 위한 승부처에서 가시적인 성과가 나오자 즉각 포상에 나선 것이란 분석이다.
삼성전자는 지난달 30일 임직원 30명에게 개발 과제 목표 달성 인센티브로 보통주 4790주를 지급한다고 공시했다. 지급일인 지난달 31일 삼성전자 종가를 감안하면 이들에게 지급된 자사주 평가액은 총 5억 1492만 원이다. 임직원 성과에 따라 주식 수는 차등 지급됐다.
삼성전자가 특정 개발팀에 자사주를 지급한 것은 이례적이다. HBM4에 적용되는 6세대 D램의 성능과 품질을 끌어올린 개발진에 대한 보상으로 풀이된다. HBM은 D램을 수직으로 쌓아 만든다. 6세대 D램은 HBM4의 성능을 좌우하는 핵심 부품이다. 지난해 5월 취임한 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)은 HBM4를 엔비디아에 납품하는 것을 최우선 과제로 삼고 6세대 D램 재설계를 지시했다. 해당 D램은 올 7월 삼성전자 내부 성능 테스트(PRA)를 통과했고 현재는 엔비디아에 HBM4 샘플로 제공됐다.
전 세대인 HBM3E와 달리 엔비디아는 HBM4에 대해 긍정적으로 평가하는 것으로 전해졌다. 엔비디아는 지난달 31일(현지 시간) 한국 정부 및 기업 간 인공지능(AI) 협력 보도자료에서 “삼성전자는 엔비디아의 HBM3E와 HBM4 공급망의 핵심 협력사”라고 명시했다. 삼성전자는 6세대 D램을 선제적으로 도입해 업계 최고 수준인 11Gbps의 데이터 이동 속도를 달성했다.
삼성전자는 HBM 시장 주도권을 되찾기 위해 6세대 D램 전환에 속도를 내고 있다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 지난달 30일 3분기 실적설명회에서 “6세대 D램 생산능력 확대에 필요한 투자를 적극 실행해 나가겠다”며 HBM4 양산 의지를 재확인했다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
gap@sedaily.com
