삼성전자(005930)가 2년 뒤 양산할 예정인 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E의 목표 대역폭을 현 5세대(HBM3E)의 2.5배로 제시했다. 6세대인 HBM4 개발 초기부터 고대역폭 전략에 나선 삼성전자가 차세대에서도 공격적인 목표를 내놓은 것이다. 엔비디아의 대역폭 상향 압박에 메모리 업계에서 ‘속도 전쟁’이 붙고 있다는 분석이 나온다.
삼성전자는 14일(현지 시간) 미국 캘리포니아 새너제이 컨벤션센터에서 열린 ‘오픈컴퓨트프로젝트(OCP) 글로벌 서밋 2025’에서 HBM4E 핀 속도 목표치를 13Gbps(초당 기가비트) 이상으로 제시했다. HBM4E는 데이터가 오가는 핀이 2048개다. 총대역폭은 초당 3.25TB(테라바이트)다. 삼성전자·SK하이닉스(000660)·마이크론 등 메모리 3사 중에서 HBM4E 대역폭으로 초당 3TB 이상을 내세운 곳은 삼성전자가 처음이다.
삼성전자는 올 상반기까지 HBM4와 HBM4E 목표 대역폭을 각각 ‘8~10Gbps’ ‘10Gbps 이상’으로 소개해왔다. HBM4 공식 규격은 8Gbps지만 고객사의 요구가 있으면 10Gbps를 목표로 삼겠다는 입장을 밝혀왔다. 실제 엔비디아는 하반기 ‘베라 루빈’ 칩셋용 HBM4 샘플 납품 과정에서 10Gbps 이상 대역폭을 요구했고 삼성전자는 일찌감치 11Gbps를 구현했다. 삼성전자는 차세대인 HBM4E에서도 공격적인 목표치를 내세워 반전의 계기로 삼겠다는 구상이다. 반도체 업계 관계자는 “HBM3E에서 경쟁사에 뒤처진 삼성전자는 HBM4 개발 초기부터 타사 대비 높은 대역폭을 목표로 삼아 엔비디아의 요구에 선제 대응하는 데 성공했다”며 “HBM4에서 벌인 ‘속도전’을 차세대에서도 이어가 반전을 노리겠다는 전략”이라고 분석했다.
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