SK하이닉스(000660)가 열 배출이 기존 대비 3.5배 뛰어난 고방열 모바일 D램 신제품을 공급하며 고대역폭 메모리(HBM)에 이어 온디바이스 인공지능(AI) 메모리 시장을 공략한다.
SK하이닉스는 ‘High-K EMC(Epoxy Molding Compound)’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. High-K EMC란 열전도도를 높인 EMC를 뜻한다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실라카에 알루미나를 혼합 적용해 제조됐다.
신소재 적용으로 열전도도가 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상됐다. 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속 시간, 제품 수명 연장에도 기여한다.
특히 방열 성능은 발열량이 많아지는 AI 기능과 궁합이 좋다. 최신 플래그십 스마트폰은 두뇌 역할을 하는 애플리케이션프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는데 이 구조는 여러 장점에도 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되며 스마트폰 성능 저하를 유발한다. AI 연산으로 발열이 많아진 최신 AP에서 이 문제는 더 치명적이다. 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다.
SK하이닉스 관계자는 “온디바이스 AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며 “이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 밝혔다.
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.
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