삼성전자(005930)가 하반기부터 차세대 제품인 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대 D램에 대한 증설 투자에 나선다. 최근 10나노 6세대 D램 재설계라는 파격적인 결단 이후 수율을 크게 개선한 삼성전자가 ‘반도체 초격차’를 회복하기 위해 연구개발(R&D)에 이어 생산 시설 확대도 추진해 주목된다.
19일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS) 부문은 평택 4공장(P4)에서 하반기부터 내년 2분기까지 10나노급 6세대 D램에 관한 설비투자를 이어간다. 가장 최근 준공된 P4에 새로 설치하는 10나노급 6세대 D램 생산라인은 12인치 웨이퍼 기준 월 8만 장 규모다. 평택 4공장의 전체 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 20만 장에 달하는데 지난해 준공 후 일부 공간에 낸드플래시를 생산하는 라인만 설치돼 있다. P4 내부에 D램 라인이 본격적으로 설치되는 것은 이번이 처음이다.
삼성전자가 내년 상반기까지 P4 생산능력의 40%를 차세대 D램으로 채우는 것은 상당한 사업 자신감을 반영한 것이라는 평가다. 삼성전자는 P4뿐 아니라 화성 17라인의 일부 D램 라인도 내년 초 월 1만 5000장 안팎의 10나노급 6세대 라인으로 전환할 계획을 세운 것으로 파악됐다.
삼성전자는 최근 R&D 과정에서 10나노급 6세대 D램의 테스트 수율이 크게 개선된 것을 확인하면서 양산 준비에 빠르게 나섰다는 해석이 나온다. 회사는 지난해 기술 문제와 수율 부진으로 차세대 D램 출시 계획을 미룬 바 있다. 그러나 전영현 삼성전자 부회장이 새로운 DS 부문 수장으로 지난해 5월 전격 선임된 후 차세대 D램 설계 구조를 전면 수정하는 파격적 결단으로 기술 개선을 도모했다. 업계 관계자는 “차세대 D램의 양산까지 가려면 일부 단계가 남아 있지만 삼성이 반도체 경쟁력의 빠른 회복을 위해 설비투자에도 적극 나설 것으로 안다”고 설명했다.
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