마이크론, D램 제조·연구개발에 2000억 달러 투자

HBM 역량 강화

연합뉴스

마이크론 테크놀로지가 12일 미국 내 메모리 제조에 1500억 달러(약 203조 원), 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자할 계획이라고 밝혔다.

먼저 아이다호 보이시에 두 번째 최첨단 메모리 팹을 건설하고 버지니아 머내서스에 있는 기존 제조 시설을 확장한다. 이번 투자를 통해 고대역폭메모리(HBM) 역량도 적극 키운다. 첨단 HBM 패키징 역량 강화를 통해 최첨단 반도체에 대해 규모의 경제를 실현하고 시장 출시 기간을 단축시키겠다는 설명이다.



마이크론은 아이다호의 첫 번째 팹에서 2027년 D램 생산을 시작할 예정이다. 두 번째 아이다호 팹은 AI로 인해 증가하는 시장 수요에 대응한다. 마이크론은 주 및 연방 환경 검토 절차가 완료된 후 올해 말 뉴욕에서도 부지 조성 작업을 시작할 예정이다.

산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 “마이크론의 미국 메모리 제조 및 R&D 계획은 혁신을 주도하고 국내 반도체 산업을 강화하려는 의지”라며 “2000억 달러 규모의 이번 투자는 기술 리더십을 강화하고 반도체 생태계 전반에 걸쳐 수만 개의 일자리를 창출할 것”이라고 말했다.