미국 메모리 회사인 마이크론 테크놀로지가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 샘플을 출하했다. 세계 메모리 1위인 삼성전자(005930)보다 빨리 시제품을 생산한 것이어서 주목을 끈다.
10일(현지시간) 마이크론은 36기가바이트(GB) 용량의 12단 HBM4를 다수의 고객사에게 출하했다고 밝혔다. 회사 측은 HBM4를 10나노급 5세대(1b) D램을 쌓아서 제조했고, 전작인 5세대 HBM(HBM3E) 대비 정보 처리 속도가 60% 이상 향상 됐다고 설명했다. 전력 효율도 20% 이상 개선됐다.
앞서 마이크론은 지난해 6월 대만 IT 전시회 컴퓨텍스 2024에서 "내년 상반기 HBM4 샘플을 출하할 예정"이라고 강조한 바 있다. 이들이 설정한 로드맵 대로 차세대 제품 개발이 순조롭게 진행되는 것으로 해석된다.
HBM은 여러 개의 D램을 쌓아서 만든 칩이다. 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 인공지능(AI) 연산 장치 바로 옆에 장착해 고용량 데이터 저장과 신속한 정보 처리를 제공한다. 내년부터 AI 반도체에 본격적으로 채용될 것으로 예상되는 HBM4는 데이터 출입구(I/O) 수가 전작보다 2배 늘어난 2048개로 공정과 생산 난도가 크게 올랐다.
현재 HBM4 시장에서 개발 속도가 가장 빠른 회사는 이 분야 1위 SK하이닉스(000660)다. 올 3월 엔비디아에 워킹 샘플을 제공했고, 연말 양산을 위한 성능 향상 작업에 몰두하고 있다.
마이크론은 SK하이닉스보다 샘플 출하 시점이 약 3개월 늦지만 삼성전자보다는 진행 상황이 빠르다. 현재 삼성전자는 업계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램을 활용해 HBM4를 설계한다. 삼성전자는 HBM4용으로 재설계한 10나노급 6세대 D램을 올 3분기께 검증할 예정으로 알려졌다. 삼성전자는 연내 HBM4를 양산할 계획이다.
마이크론은 지난해 HBM3E 8단과 12단에서도 삼성전자보다 먼저 AI 반도체 1위 엔비디아의 승인 테스트를 통과하며 HBM 기술에서 앞서나가고 있다.
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