삼성전자 반도체의 기술 수장이 최근 위기를 겪고 있는 삼성전자의 주가에 대해 “1년만 지나면 회복할 수 있을 것”이라며 자신했다. 차세대 D램과 낸드플래시 기술에 대해서도 올해 설정한 시간표대로 차질 없이 진행되고 있다고 강조했다.
26일 업계에 따르면 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO)는 전날 반도체연구소 직원들을 대상으로 진행한 경영 현황 설명회에서 “사석에서 삼성전자 주가에 대해 많이 물어올 때마다 이렇게 설명하고 있다”며 이같이 말했다.
이날 주가 이야기가 서두에 나온 것은 회사 안팎에서 삼성전자의 위기를 논하는 목소리가 커지며 주가 역시 고꾸라졌기 때문이다. 삼성전자 주가는 이달 14일 4만 9900원에 마감하며 코로나19 국면인 2020년 6월 15일 이후 처음 ‘4만 전자’로 떨어졌다.
송 CTO의 발언에는 순조롭게 진행되고 있는 차세대 기술 개발에 대한 자신감이 깔려 있다. 그는 차세대 제품인 10㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 D램에 요구되는 기반 기술이 무리 없이 개발되고 있다고 알렸다. 현재 상용화된 D램은 10나노대 제품으로 10나노 제품은 1세대, 2세대, 3세대로 진화해 왔다.
다만 D램 회로 선폭이 10나노대 이하가 되면 기존 구조로는 미세화의 한계가 있어 새로운 구조(VCT)와 이를 구현할 기반 기술이 필요하다. 이날 송 CTO가 긍정적으로 개발되고 있다고 예시로 든 ‘저온 정션’ ‘본딩’ 기술이 대표적인 기반 기술이다. 그는 “저온 정션 기술과 본딩 기술이 모두 올해 목표한 시간표에 맞춰 개발이 진행되고 있다”고 말했다.
정션이란 서로 다른 특성을 가진 반도체 물질이 접합된 경계면을 의미한다. 단단한 벽돌 구조물에 새 벽돌을 끼워넣기 위해 구조물을 잠시 달궈서 틈을 만드는 것처럼 정션을 만들 때도 접합 부위에 고온이 필요하다. 하지만 수직으로 셀을 쌓아야 하는 VCT 구조에서는 고온이 인접 층의 회로나 소자를 손상시킬 수 있어 저온 기술이 유리하다. 또한 셀을 수직으로 쌓게 되는 만큼 웨이퍼를 위아래로 붙이는 본딩 기술도 핵심적이다.
그는 낸드플래시 기술에 대해서도 자신감을 드러냈다. 송 CTO는 “차세대 낸드인 V10 제품에 대해서도 목표한 성능과 시간에 맞춰 개발이 이뤄질 것”이라고 강조했다.
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