삼성전자(005930)가 30일 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 양산을 세계 최초로 시작한다. 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업 1위 업체인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있는 포석을 놓았다는 평가가 나온다.
28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 GAA 기반 나노 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지킨 셈이다. 이는 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.
이 기술은 특히 지난달 20일 삼성전자 평택 공장을 찾은 조 바이든 미국 대통령이 시제품에 서명하면서 유명해졌다. 이재용 삼성전자 부회장은 당시 이 제품을 윤석열 대통령과 바이든 대통령에게 직접 소개했다.
워낙 최첨단 기술이라 그간 업계 일각에서는 삼성전자가 수율(결함 없는 합격품 비율) 문제로 3나노 반도체 양산을 미루는 게 아니냐는 우려도 나왔다. 실제로 올 초에는 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈했다는 소문도 돌았다. 전자 업계에서는 “시장의 부정론은 기우로 끝났다”는 평가가 나온다.
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