삼성전자가 세계 최초로 최대용량과 초절전을 동시에 구현한 128GB 서버용 D램 모듈 양산에 들어갑니다.
이번 D램 모듈은 3차원 TSV 적층 기술을 적용했습니다. TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술입니다. 기존 와이어를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 최적화된 칩 동작회로로 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있습니다.
앞서 지난해 8월 내놓은 64GB D램 모듈에 비해 용량 뿐만 아니라 속도도 두배 정도 빠르고 소비전력량은 절반으로 줄였습니다.
삼성전자는 이번에 내놓은 128GB D램 모듈로 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터센터 시장을 공략할 계획입니다.
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