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삼성전자 ‘70나노 4기가’ 플래시메모리 개발

삼성전자가 세계최초로 `70나노 4기가` 플래시메모리를 개발했다. 황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 29일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “세계 최초로 70나노(1나노=10억분의1미터) 기술을 적용한 세계최대 용량의 4기가바이트 플래시메모리 제품을 개발했다”고 밝혔다. 삼성은 이 제품을 내년말부터 양산할 계획이며, 수원공장의 300미리 웨이퍼 생산라인(12라인)에 우선 적용할 예정이다. 황 사장은 “이번에 개발된 반도체는 칩 1개에 영화 1편을 저장할 수 있는 용량”이라며 “이로써 플래시메모리분야에서 경쟁업체들과의 기술격차를 1년이상 벌리며 독주체제를 굳히게 됐다”고 말했다. 그는 또 “고부가가치 제품인 플래시메모리 분야에서만 오는 2007년 연간 100억달러 이상의 매출을 올릴 수 있을 것”이라며 “기술 및 시장주도권을 통해 신수종사업으로 적극 육성해 나갈 계획”이라고 덧붙였다. 황사장은 반도체 시황과 관련, “현재 세계 반도체시장은 이라크전쟁 후유증과 미국의 고실업 및 환율불안 등의 악재와 모바일기기 중심의 신규시장 형성 등의 호재가 혼재하고 있다”며 “(하지만) 하반기부터 호재가 우세한 상황으로 돌아서고 있는 상황”이라고 말했다. <문성진기자 hnsj@sed.co.kr>

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