동부아남반도체 특허 국무총리상

동부아남반도체의 특허기술이 ‘제12회 직무발명 경진대회’에서 국무총리상을 수상했다.

동부아남반도체는 15일 암전류(暗轉流) 문제를 해소한 ‘CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법’의 특허가 특허청이 주최한 발명 경진대회에서 국무총리상을 수상했다고 밝혔다.

암전류는 반도체 소자 제조 과정에서 발생하는 결함으로 선명한 이미지를 구현하기 위해 꼭 해결해야 하는 과제다.

이번에 수상한 암전류 제어 기술은 동부아남반도체가 지난 2002년부터 1년간에 걸쳐 개발한 기술로 이미지 센서의 해상도를 기존보다 2배 이상 향상시키고 선명도 등도 높였다.

동부아남반도체는 이미 암전류 제어 기술을 미국에 2건과 국내에 5건의 특허를 등록했고 일본 샤프 등에 이 기술을 적용한 CMOS 이미지 센서를 공급하고 있다.

동부아남반도체는 암전류 제어 기술을 바탕으로 1000만화소 이미지 센서 등 신제품 개발은 물론 향후 10년 동안 2,000억원 규모의 로열티 수입을 기대하고 있다.