하이닉스, 내년 하반기 54나노 D램양산

하이닉스반도체가 내년 하반기에 54나노 공정을 기반으로 한 1기가비트(Gb) DDR2 D램을 양산한다.

하이닉스는 최근 54나노 공정기술 개발을 끝내고 미국 인텔로부터 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 25일 밝혔다. 하이닉스는 이 공정기술을 1Gb DDR3 D램 제품까지 확대시킬 계획으로 1Gb DDR2 D램 제품을 DDR3 D램 제품과 더불어 내년 하반기부터 본격 양산하기로 했다.

하이닉스가 50나노급 1Gb D램에서 인텔 인증을 받은 것은 지난 7월 삼성전자에 이어 두번째다. 회사의 한 관계자는 “인텔 인증은 새로 개발된 D램 등이 상용제품에 쓰이는 데 적합하다는 것을 의미하는 사실상 업계 공인으로 제품 양산과 상업화를 위한 주요 절차”라고 설명했다. 그는 또 “54나노 1Gb DDR2 D램은 정보처리 속도가 800Mbps에 달하는 초고속 제품”이라며 “현재 양산 중인 66나노 공정에 비해 50％ 이상 생산성이 높다”고 덧붙였다.

업계에서는 해외 업체들이 여전히 70~80나노 제품 생산에 주력하고 있는 데 비해 국내 반도체 업체들이 잇따라 54나노 제품 양산에 나서면서 내년에도 세계 D램 시장을 선도할 수 있을 것으로 내다보고 있다.

한편 하이닉스는 23일 중국 우시에서 이사회를 열고 이사회와 경영진의 역할을 명확히 분리하도록 한 ‘신이사회제도’ 도입안을 의결했다.