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국내 연구진이 반도체 전압을 크게 낮춰 기존보다 3배 이상 빠른 상보형 금속 산화막 반도체(CMOS) 소자를 개발했다. 한국이 미래 반도체 기술을 선점하는 데 크게 기여할 것으로 기대된다.
한국연구재단과 신창환(사진) 서울시립대 교수는 20일 기존보다 동작속도는 3배 이상 빠르고 구동하는데 필요한 전력은 훨씬 낮은 반도체 소자 기술을 개발했다고 밝혔다. 신 교수 연구팀은 강유전체를 이용해 음의 전기용량 상태를 띠는 축전기를 개발, 기존의 6분의 1 수준의 구동전압으로도 CMOS 소자를 작동시킬 수 있게 했다. 이에 힘입어 그동안 물리적 한계로 생각했던 60mV/decade보다 3배 이상 빠른 온·오프 스위칭 속도(18mV/decade)로 동작할 수 있게 했다.
신 교수는 “미래 CMOS 소자에 음의 전기용량을 적용할 수 있는 가능성을 밝히면서 해당 학문분야를 한 단계 진보시켰다”며 “반도체 산업의 기술적 도약에도 큰 기여를 할 것으로 예상된다”고 말했다.
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