삼성전자, DDR 연내 2배 증산

"메모리시장 창조자될것" 비전 선포식삼성전자가 256메가 DDR D램 생산량을 2배로 끌어올리고, 플래시메모리와 S램도 50~60% 늘리는 등 본격 증산에 들어간다.

이는 일본 업체들이 D램 사업을 통합하고 미국 인텔ㆍ타이완 업체들이 연합군을 형성, 삼성에 대한 본격 견제에 나선 가운데 추진되는 것이어서 주목된다.

삼성전자는 1일 기흥사업장에서 황창규 메모리 담당 사장 등 임직원 2,000여명이 참석한 가운데 '비전 선포식'을 갖고, "메모리반도체 시장은 절대강자만 존재한다"며 '시장 창조자'가 될 것임을 공식 선언했다.

삼성전자에 따르면 우선 모바일 제품에 쓰이는 S램을 2ㆍ4분기 7,000만개(4메가 환산기준)에서 4ㆍ4분기에는 57% 늘어난 1억1,000만개까지 늘린다.

S램 분기 매출은 2억달러에서 2억5,000만달러로 증가한다. 플래시메모리도 2ㆍ4분기 5,800만개에서 4ㆍ4분기 55% 증가한 9,000만개까지 증산, 매출을 2억5,000만달러에서 3억8,000만달러로 올리기로 했다.

DDR D램의 경우 256메가 제품을 2ㆍ4분기 5,900만개에서 4ㆍ4분기에는 2배 가까이 늘어난 1억1,500만개 수준까지 끌어올려 4ㆍ4분기 이후의 공급부족에 대처할 방침이다.

반면 범용 SD램(256메가)은 2ㆍ4분기 8,800만개에서 4ㆍ4분기에는 8,500만개로 소폭 낮출 예정이다.

미세회로 공정도 개선, 0.13㎛(미크론) 이하 미세공정을 적용한 웨이퍼의 비율을 2ㆍ4분기 40%에서 연말 75%로 끌어올릴 계획이다.

대신 0.15공정은 8월 54%에서 연말 24%로 절반 이상 떨어뜨리고, 0.17이상은 연말 2%까지 축소키로 했다.

김영기기자