[삼성전자] "최악 불황 극복… 시장선점·경쟁력 강화하자" 공격경영

반도체 설비에 5조5,000억·LCD엔 3조 투자

"미래 신성장동력 확보" R&D에도 7조~8조

3분기 현금보유 규모 8조 넘어 '실탄은 충분'

삼성전자가 내년에 금융위기 이전 수준인 총 16조원에 달하는 설비 및 연구개발(R&D) 투자를 단행할 것으로 보인다. 삼성전자는 올 초 비상경영에 따라 신규 설비투자를 거의 중단했다가 하반기 들면서 투자를 점차 늘려가고 있는 상태다. 내년에는 사실상 최악의 불황을 극복했다는 판단을 내리고 시장선점과 경쟁력 강화를 위해 특유의 공격적인 경영에 나서는 것으로 해석된다.

삼성전자는 30일 3•4분기 실적을 발표하면서 "내년도 메모리반도체와 LCD 관련 설비투자를 각각 5조5,000억원과 3조원 이상(연결기준) 집행하는 방안을 검토하고 있다"고 밝혔다. 내년 투자 규모는 올해 예정된 7조원가량의 투자금액에서 20% 이상 늘어난 것이다. 반도체와 LCD 부문의 설비투자는 삼성전자 전체 설비투자의 90% 이상을 차지한다.

하반기 설비투자 규모도 상반기에 비해 두 배 이상 늘어날 것으로 전망된다. 삼성전자의 상반기 설비투자는 본사 기준 1조5,200억원(연결기준 2조~2조5,000억원 추정) 안팎에 그쳤다. 8세대 LCD 라인 등 일부를 제외하면 사실상 라인 개보수 수준에 머물렀다. 하지만 삼성전자는 "3•4분기에만 본사 기준 반도체 1조800억원, LCD 1,800억원 등 총 1조3,400억원의 설비투자를 집행하는 등 시장 리더십과 경쟁력을 확대하기 위한 투자를 추진하고 있다"고 설명했다.

내년 R&D 투자는 7조~8조원에 달할 것으로 관측된다. 삼성전자는 지난 2007년 5조9,400억원, 2008년 6조9,000억원을 R&D에 투자했다. 올해 R&D 투자 규모도 7조원 수준이 될 것으로 추정된다. 매년 꾸준히 R&D 투자를 늘려왔다는 점과 최근 미래 신성장동력 확보에 적극 나서고 있는 점 등을 감안할 때 내년에도 최소한 올해 수준 이상의 R&D 투자를 단행할 것으로 전망된다. 결국 내년 설비투자와 R&D 투자를 합치면 16조원 안팎이 될 것으로 관측된다.

설비투자는 주로 반도체라인 업그레이드와 LCD 신규라인 건설 등에 투입될 예정이다. 이미 하반기부터 D램은 50나노에서 40나노급으로, 낸드플래시는 40나노에서 30나노로 각각 공정 업그레이드를 진행하고 있다. 조만간 화성 반도체 10라인을 8인치에서 12인치 웨이퍼로 전환하는 대규모 장비 반입이 계획돼 있다. 생산효율을 높여 가격경쟁력을 확보, 수익성을 극대화하겠다는 전략으로 읽힌다. 조남성 삼성전자 전무는 "내년도 반도체 분야 예상 투자액은 5조5,000억원가량"이라며 "이중 대부분이 낸드플래시와 D램 메모리 공정 고도화에 투자될 것"이라고 설명했다.

LCD 쪽에서는 굵직한 신규라인 투자가 예상된다. 먼저 정부 승인이 나는 대로 중국 쑤저우에서 7.5세대 LCD 라인 구축에 돌입한다. 여기에는 1조~1조3,000억원가량이 투입될 것으로 전망된다. 기본적인 라인 개보수 비용을 제외하더라도 8세대 추가 건설이나 11세대 등 차세대 패널 공장구축을 시작하는 방안이 확정될 수 있다.

투자를 위한 '실탄'은 이미 충분히 확보했다. 이날 발표에 따르면 삼성전자는 3•4분기 8조358억원 규모의 현금을 보유하고 있다. 전분기 5조5,531억원에서 44.7%(2조4,827억원)나 늘어난 액수다. 특히 이번 3•4분기에 4조2,300억원의 영업이익을 올리면서 투자나 인수합병(M&A) 등 공격적인 경영전략을 구사할 수 있는 여지는 더욱 커졌다.

노근창 HMC투자증권 연구원은 "반도체 쪽은 새로 라인을 만든다기보다는 업그레이드에 치중하면서 LCD 신규 라인에 투자를 시작할 것으로 보인다"며 "기술적인 진보를 통해 원가를 절감하고 수요에 맞는 신규 라인을 구축하면 회사의 실질적인 수익증대 효과로 연결될 것"이라고 말했다.