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삼성전자가 세계 최초로 40나노급 1Gb DDR2 D램 개발에 성공했다. 60나노급(2005년), 50나노급(2006년) 세계 최초에 이은 쾌거로 오는 3ㆍ4분기 양산에 돌입하면 삼성전자의 경쟁력은 한층 강화될 것으로 전망된다. 삼성전자가 4일 내놓은 40나노 D램은 회로 사이의 간격이 40나노미터에 불과하다. 1나노미터는 10억분의1미터를 의미하며 40나노미터는 머리카락의 2,500분의1 굵기다. 회로 간격이 좁으면 회로 간 전기적 간섭효과가 발생해 이를 방지하면서 나노를 줄이는 기법은 반도체 업계에서는 최첨단 기술력으로 통한다. 이번 40나노급 반도체는 기존 50나노급에 비해 같은 면적당 높은 회로 집적도를 가능하게 해 생산성이 60% 이상 향상된다. 여기에다 소비전력도 30% 이상 절감돼 적용 가능한 제품군은 더욱 확대된다. 개발에서 양산까지의 기간도 획기적으로 단축했다. 삼성전자는 올해 3ㆍ4분기 40나노급 제품 양산에 돌입할 예정. 50나노급의 경우 2006년 제품 개발 후 2008년에야 양산을 시작했지만 이 제품은 양산 시점을 1년 이상 앞당겼다. 특히 양산 제품은 이번 신제품보다 한 단계 업그레이드된 2Gb DDR3 제품으로 계획하고 있어 용량과 속도가 한층 강화될 것으로 전망된다. 삼성전자는 이에 따라 경쟁업체들과의 기술 격차가 최소 1~2년 확대할 것으로 보고 있다. 50나노급 D램은 삼성전자와 하이닉스반도체 외에는 양산 가능한 업체가 없다. 메모리 3위인 일본의 엘피다는 50나노급 D램을 개발하기는 했지만 양산 역량에는 미치지 못하고 있다. 불황 속 반도체 업황 악화에도 40나노급을 한발 앞서 양산해 시장 리더십을 강화하겠다는 게 삼성전자 DS 부문의 올해 주요 반도체 전략이다. 삼성전자의 한 관계자는 "40나노급 D램 시장을 선점해 고부가가치 메모리 시장을 창출하는 것은 물론 향후 DDR4 등 초고속 스피드 시대를 구현하는 차세대 반도체 제품을 선행 개발해 업계 최고의 경쟁력을 유지해갈 것"이라고 밝혔다.
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