삼성전자, 16메가 초고속 DDR S램 개발

삼성전자는 주파수 400MHz의 16메가 초고속 DDR S램을 개발, 4ㆍ4분기부터 양산에 들어갈 계획이라고 23일 밝혔다.초고속 DDR S램은 고도의 기술력을 필요로 해 D램이나 저전력 S램에 비해 시황에 따른 가격변동이 적으며, 동급 용량의 저전력 S램보다 10배 이상 높은 가격대를 형성하고 있다.

삼성전자는 이번 초고속 S램 개발로 휴대기기용 저전력 S램, 네트워크용 고속 S램과 함께 S램 전제품의 생산능력을 보유하게 됐다고 설명했다.

이 제품은 초고속 데이터 처리를 요구하는 워크스테이션ㆍ서버에서 캐시메모리로 사용되며 삼성전자는 오는 4ㆍ4분기 양산에 들어가 미주지역 업체에 공급할 예정이다.

삼성전자는 현재 전체 S램시장의 20.6%를 차치, 세계 1위를 달리고 있으며 2004년에는 16메가 초고속 DDR S램 시장에서 27%를 점유할 계획이다.

조영주기자