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삼성전자와 하이닉스반도체가 50나노미터(㎚) D램 생산라인 양산시기를 최대한 당겨 후발업체 견제에 나선다. 양사는 또 올 1ㆍ4분기 중에 주력제품을 512메가비트(Mb)에서 1기가비트(Gb)로 교체, 경쟁사와의 격차를 한층 넓혀간다는 전략이다. 하이닉스는 18일 “당초 올 하반기로 예상했던 54㎚ D램 양산시기를 올 2ㆍ4분기로 앞당겼다”며 “50㎚급 라인에서 1Gb D램을 주력 생산할 계획”이라고 밝혔다. 지난해 11월 미국 인텔로부터 인증받은 54㎚ 1Gb DDR2 D램의 경우 현재 주력 라인인 66㎚ 공정에서 생산되는 1Gb 제품보다 50% 정도 생산성이 높다. 지난 2006년 세계 최초로 50㎚급 1Gb D램을 개발한 삼성전자는 올 상반기부터 51㎚ 공정을 적용, DDR2 및 DDR3 D램과 그래픽ㆍ모바일 D램을 생산할 계획이다. 삼성전자는 특히 올해 반도체 미세공정 도입과 생산성 향상에 7조원을 투입할 계획이어서 50㎚급 생산라인 도입이 가속화될 것으로 예상된다. 양사는 또 지난해 말 40%선이었던 1Gb D램 비중을 올 1ㆍ4분기 안에 50% 이상으로 끌어올려 주력제품을 512Mb에서 1Gb로 교체할 예정이다. 삼성전자와 하이닉스는 50㎚급 공정의 조기 도입으로 현재 70~80㎚급에 머물러 있는 일본ㆍ대만 등 후발업체와의 생산성 격차가 한층 벌어질 것으로 예상하고 있다. 특히 17일 대만 현물시장에서 1Gb 제품 가격이 512Mb 제품 2개보다 더 낮은 ‘비트 크로스(bit cross)’가 발생, 미세공정 도입에서 뒤진 후발사들의 경쟁력은 한층 타격을 받을 전망이다. 비트 크로스가 발생함에 따라 PCㆍ노트북 등의 D램 수요가 512Mb에서 1Gb로 빠르게 옮겨갈 것으로 예상된다. 메모리 용량이 큰 고부가 제품에서 경쟁력이 있는 삼성전자와 하이닉스의 시장 주도권이 한층 확대될 전망이다. 한편 막대한 적자에 시달리고 있는 대만 프로모스, 독일 키몬다 등 후발주자들은 일부 생산라인 가동을 줄이거나 생산량을 줄여 손실을 줄이는 방안을 적극 검토하고 있는 것으로 알려져 D램 시장의 공급과잉 해소가 머지않았다는 관측도 나오고 있다.
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