삼성전자, 초저전력 고속 S램 개발

삼성전자는 동작전류 80mA의 초저전력 고속 S램을 개발했다고 2일 밝혔다.이 제품은 ▦무선 랜이나 무선 휴대기기에 주로 사용되며 ▦데이터 처리시간이 8ns로 기존 10ns에 비해 빨라진데다 ▦동작전류도 기존 제품(160mA)의 절반 수준인 것이 특징.

또 Async 방식의 이 제품은 외부로부터 클럭신호를 받는 과정없이 동작이 가능해 네트워크장비 기지국 모뎀 등 각종 무선시스템에서 많이 사용될 전망이다.

삼성전자는 이 제품에 0.18미크론급의 초미세 공정기술을 적용해 생산성을 30% 향상시켰으며, 초소형 CSP(Chip Scale Package) 기술을 적용한 7mmmm 제품도 출시해 노트북PC와 휴대폰 등 소형 휴대기기에도 적합한 제품이라고 설명했다.

삼성전자는 무선 랜카드 시장이 2005년까지 연평균 43%의 고속 성장세를 유지할 것으로 보고 이달부터 양산에 들어가 내년에는 Async 고속 S램 시장의 35%를 점유할 방침이다.

조영주기자