0.35μ급 비메모리 제조기술 개발

◎현대전자 기존칩 크기 절반이상 줄여현대전자(회장 정몽헌)는 4일 국내기업으로는 처음으로 0.35미크론급 CMOS(상보성금속산화막반도체·Complementary Metal Oxide Semiconductor) 비메모리 반도체 제조기술을 개발하는데 성공했다고 발표했다.

이것은 현재 미국의 IBM·인텔, 일본의 도시바·NEC 등 선진국의 일부기업만이 개발한 첨단반도체제조 기술이다. 현대는 이 기술을 사용해 시험제작한 약 1백만개의 트랜지스터집적도칩이 첫번째 웨이퍼상에서 동작에 성공했으며 종래의 0.5미크론급 3층 금속성CMOS제조기술대비 칩크기를 절반이상으로 줄일수 있어 시스템소형화에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다.

이 기술은 미 현지법인 HEA 자회사인 심비오스로직사와 1년반에 걸쳐 공동개발했는데 동작전압 3.3볼트, 최소선폭 0.35미크론급 5층 금속선 CMOS기술로 첨단 비메모리반도체인 마이크로프로세스유니트(MPU), 위성방송수신용 셋톱박스핵심부품인 QPSK나 QAM 칩양산에 적용된다.

또 기존 공정기술과 다른 개념의 단위공정기술의 채택으로 칩의 고밀도화와 고성능화 및 소형화가 가능하게 됐다고 밝혔다.<김희중>