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삼성전자 D램 50나노 시대 열었다 2008년 출시…4년간 550억달러 시장 창출 김현수 기자 hskim@sed.co.kr 관련기사 • 삼성전자 '50나노 1기가 D램' 세계 첫 개발 삼성전자가 세계 최초로 50나노 1기가비트(Gb) D램 반도체를 개발했다. 이로써 삼성전자는 메모리 반도체의 한계를 다시 한번 뛰어넘는 개가를 올렸으며 주요 글로벌 경쟁기업들과의 기술격차를 1년 이상으로 벌리는 데 성공했다. D램은 낸드플래시에 비해 구조가 복잡해 그동안 50나노 이하 공정은 현실적인 한계로 여겨져왔다. 조남용 삼성전자 반도체총괄 전략마케팅팀장(부사장)은 19일 “3차원 입체 트랜지스터 구조를 구축하는 신기술과 복합유전층이라는 신물질을 사용해 50나노(10억분의 1m) 1기가급 DDR2 D램 개발에 성공했다”고 공개했다. 이번에 개발된 50나노 공정 기술은 웨이퍼(반도체 원판) 내에 칩 간격을 머리카락 굵기의 2,000분의1로 줄인 것으로 현재 양산되고 있는 80나노 공정을 한 세대 앞선 ‘3세대 공정 기술’로 평가된다. 신공정은 기존의 80나노보다 생산성이 두 배나 뛰어나며 삼성전자가 지난해 세계 최초로 개발해 기흥 13라인에서 양산을 준비 중인 60나노급(68나노) 공정에 비해서도 생산성이 55%나 높다. 특히 이번 공정은 초고속 동작과 데이터 저장능력, 저소비 전력이라는 차세대 반도체의 특성을 더욱 강화할 수 있어 대용량 PC용 D램과 그래픽D램, 모바일D램 등 모든 D램에 확대 적용하면 생산성을 대폭 끌어올릴 것으로 기대된다. 조 부사장은 “오는 2008년 1ㆍ4분기부터 50나노 공정을 적용한 D램을 출시할 예정”이라며 “이 공정이 적용되면 2008~2011년 4년간 총 550억달러의 시장을 창출할 수 있을 것”이라고 내다봤다. 조 부사장은 또 “이미 기술을 확보한 60나노 공정기술은 내년 초부터 13라인과 15라인에서 적용된다”며 “D램 시장이 호황을 보여 올해 D램은 사업 개시 23년 만에 처음 단일제품으로 100억달러의 매출을 올릴 것”이라고 덧붙였다. 입력시간 : 2006/10/19 17:13
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