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“D램 가격 더 떨어져…삼성전자 올해 영업익 5조 더 떨어진다”
증권 증권일반 2023.02.01 08:42:31키움증권이 D램(DRAM) 가격 전망치가 당초보다 더 떨어질 것이라며 올해 삼성전자(005930)의 영업이익 전망치를 시장 평균인 20조 원 보다 25% 가량 낮은 5조 원 낮은 15조 원으로 제시했다. 1일 박유악 키움증권 연구원은 보고서를 통해 “올해 1분기와 2분기 D램 가격 전망치를 전 분기 대비 -17%, -5%에서 -23%, -12%로 하향 조정한다”며 “이를 반영한 삼성전자의 올해 영업이익 전망치는 전년 대비 64% 감소한 15조 원으로 시장 전망치인 20조 원을 크게 하회할 것”이라고 밝혔다. 키움증권은 디램 가격의 추가적인 하락을 예상하는 근거로 삼성전자가 재고 감축을 위한 공격적인 영업에 나설 가능성에 주목했다. 그는 “올해 1분기 디램의 수요 비트그로스(반도체 생산량 증가율)는 전분기 대비 10% 이상 감소할 것으로 예상하나 삼성전자의 1분기 디램 출하량 전망치는 전분기 대비 1~3% 감소하는 수준”이라며 “이를 볼떄 삼성전자가 1분기 중 공격적인 판매 전략을 펼치며 재고 감축에 나설 수 있음을 의미한다”고 말했다. 그는 “삼성전자의 올해 영업이익 전망치는 전년 대비 64% 하락한 15조 원으로 시장 컨센서스인 20조 원을 크게 하회한다”고 말했다. 이어 “삼성전자 주가의 단기 기간 조정이 있을 것이라는 기존 의견을 유지한다”며 “2023년 주가순자산비율(PBR) 1배 수준에서 비중을 재차 확대하는 전략을 추천한다”고 덧붙였다. -
“1초에 고화질 영화 15편 전송” SK하이닉스, 최고속도 모바일 D램 개발
산업 기업 2023.01.25 09:54:09SK하이닉스(000660)가 현존 최고 속도 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(사진)’를 개발했다. 하반기부터 본격 양산을 시작할 경우 스마트폰은 물론 각종 첨단 정보기술(IT) 기기에 광범위하게 적용될 것으로 보인다. SK하이닉스는 최근 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16기가바이트(GB) 용량의 패키지 제품 샘플을 만들어 고객에게 제공했다고 25일 밝혔다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 1초당 77GB다. 이는 풀HD(FHD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 이번 D램은 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 2개월 만에 더 향상시킨 제품이다. 특히 동작 속도가 1초당 9.6기가비트(Gb)로 기존 제품보다 13% 빨라졌다. 빠른 속도를 강조하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(T)’를 붙였다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿PC 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 전력 소모량 최소화가 관건이라서 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 이번 제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01∼1.12V(볼트)에서 작동한다. SK하이닉스 관계자는 “1초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 또 돌파했다”며 “속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품”이라고 강조했다. SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세 공정을 기반으로 올해 하반기부터 제품 양산에 들어갈 계획이다. SK하이닉스는 신제품에 ‘HKMG’ 공정을 적용했다. HKMG 공정은 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다. SK하이닉스는 5세대(5G) 이동통신 스마트폰 시장이 확대되면 속도나 용량 등이 고도화된 메모리 반도체 수요가 늘어날 것으로 기대했다. -
'K반도체' 칼 겨냥한 中…차세대 '꿈의 D램' 선점 나섰다 [뒷북비즈]
산업 기업 2023.01.21 13:00:00‘K반도체’를 무섭게 추격하고 있는 중국 반도체 업계가 ‘꿈의 기술’로 불리는 3차원(3D) D램 개발에 속도를 높이고 있다. 향후 메모리 시장 패권의 향방을 좌우할 3D D램 분야에서 중국이 선점을 시도하면서 한국 반도체 업계의 긴장이 고조되고 있다. 21일 업계에 따르면 창신메모리(CXMT), 중국과학원 등 중국의 유력한 D램 제조 업체와 반도체 기술 연구기관이 최근 잇따라 3D D램에 관한 연구 결과를 발표했다. CXMT와 중국과학원은 2개 트랜지스터(2T0C)만으로 D램 기억장치를 만드는 기술을 소개했다. 기존 D램 셀은 1개 트랜지스터, 1개 커패시터(1T1C)로 이뤄진다. 기존 구조에서 부피를 많이 차지하는 커패시터를 없애고 트랜지스터를 하나 더 추가한 것이다. 업계에서는 이 같은 기술이 당장의 위협으로 작용할 정도까지는 아니지만 차세대 기술의 선점을 시도했다는 점에서 위기로 받아들여야 한다는 반응이 나온다. 업계는 중국 업체와 기관들이 기술적인 한계로 ‘2T0C’ 구조를 당장 구현하기는 어려울 것으로 보고 있다. 다만 3D D램 개발에 박차를 가하고 있는 중국 업체와 국책연구기관들의 움직임을 예의 주시해야 한다고 경고한다. 다양한 연구 결과물로 노하우를 쌓다가 세계 최초로 원천 기술을 찾아낼 가능성을 배제할 수 없어서다. 3D D램은 차세대 핵심 기술로 꼽히지만 기존 2D D램 시장과 달리 독보적인 주도권을 쥔 업체가 없는 ‘무주공산’ 상태다. 세계 D램 시장에서 40% 이상의 점유율을 확보한 1위 삼성전자(005930)는 2019년 3D D램 구조 콘셉트에 대해 특허를 낸 경험은 있으나 2021년에야 디바이스솔루션(DS) 부문 내 차세대공정개발팀을 신설해 연구에 착수했다. SK하이닉스(000660) 역시 내부에서 3D D램 연구가 진행 중인 가운데 지난해 처음 3D D램 콘셉트를 공개한 정도다. 미국 주도의 반도체 공급망 배제로 어려움을 겪고 있는 중국 입장에서는 3D D램의 원천 기술을 먼저 개발하면 미국의 강력한 대중(對中) 반도체 장비 제재도 무력화할 수 있다. 3D D램 기술을 확보하면 극자외선(EUV) 장비 없이도 현존하는 D램보다 더 용량이 큰 D램을 만들 수 있다. 현재 세계 D램 시장에서 CXMT 등 중국의 점유율은 1% 안팎에 불과하다. 만약 중국이 기술 인력과 막대한 자본을 투입해 3D D램 생산을 앞당긴다면 단숨에 D램 시장의 우위가 한국에서 중국으로 바뀔 수 있다는 해석이 나온다. 업계 관계자는 “세계 D램 점유율 70%를 확보한 삼성전자, SK하이닉스가 개방된 3D D램 생태계를 마련해서 원천 기술, 인력 확보에 적극적으로 나서야 할 것”이라고 밝혔다. -
中, 게임체인저 '3D D램' 개발 속도전
산업 기업 2023.01.20 17:03:55중국 반도체 업계가 아직 상용화되지 않은 ‘3차원(3D) D램’ 개발에 박차를 가하고 있다. 3D D램은 향후 메모리 시장 패권의 향방을 좌우할 수 있는 ‘꿈의 기술’로 손꼽히지만 주도권을 쥔 업체는 나타나지 않았다. 세계 반도체 패권 장악을 노리는 중국이 이 기술을 빠르게 선점해 D램 분야에서의 한국의 위상을 위협할 가능성이 크다는 우려가 나온다. 20일 업계에 따르면 창신메모리(CXMT), 중국과학원 등 중국의 유력한 D램 제조 업체와 반도체 기술 연구기관이 잇따라 3D D램에 관한 연구 결과를 발표했다. CXMT와 중국과학원은 2개 트랜지스터(2T0C)만으로 D램 기억장치를 만드는 기술을 소개했다. 기존 D램 셀은 1개 트랜지스터, 1개 커패시터(1T1C)로 이뤄진다. 기존 구조에서 부피를 많이 차지하는 커패시터를 없애고 트랜지스터를 하나 더 추가한 것이다. 업계에서는 중국 업체와 기관들이 기술적인 한계로 ‘2T0C’ 구조를 당장 구현하기는 어려울 것으로 보고 있다. 다만 3D D램 개발에 박차를 가하고 있는 중국 업체와 국책연구기관들의 움직임을 예의 주시해야 한다고 경고한다. 다양한 연구 결과물로 노하우를 쌓다가 세계 최초로 원천 기술을 찾아낼 가능성을 배제할 수 없어서다. 중국이 3D D램의 기술 선점을 노리는 이유는 다양하다. 우선 3D D램은 기존 2D D램 시장과 달리 독보적인 주도권을 쥔 업체가 없는 ‘무주공산’의 시장이다. 세계 D램 시장에서 40% 이상의 점유율을 확보한 1위 삼성전자는 2019년 3D D램 구조 콘셉트에 대해 특허를 낸 경험은 있으나 2021년에야 디바이스솔루션(DS) 부문 내 차세대공정개발팀을 신설해 연구에 착수했다. SK하이닉스 역시 내부에서 3D D램 연구가 진행 중인 가운데 지난해 처음 3D D램 콘셉트를 대중에게 공개했다. 또 중국이 3D D램의 원천 기술을 먼저 개발할 경우 미국의 강력한 대중(對中) 반도체 장비 제재도 무력화할 수 있다. 미국은 2019년 6월부터 네덜란드의 ASML이 첨단 극자외선(EUV) 노광 장비를 중국으로 수출하지 못하게 하고 있다. 3D D램 기술을 확보할 경우 EUV 장비 없이도 현존하는 D램보다 더 용량이 큰 D램을 만들 수 있다. 현재 세계 D램 시장에서 CXMT 등 중국의 점유율은 1% 안팎에 불과하다. 그러나 만약 중국이 기술 인력과 막대한 자본을 투입해 3D D램 생산을 앞당긴다면 단숨에 D램 시장의 우위가 한국에서 중국으로 바뀔 수 있다는 해석이 나온다. -
[단독] 결국 못버틴 SK하이닉스…中 D램 공장 감산 돌입
산업 기업 2023.01.20 16:56:48SK하이닉스(000660)가 중국 우시 D램 공장 생산량 감산에 들어갔다. 지난해 4분기부터 시작된 정보기술(IT) 수요 침체에 대응하기 위해 반도체 생산량을 줄이는 극단의 조치를 취한 것이다. 올해 SK하이닉스 외에 세계 반도체 기업들도 불황에 대비해 감산이나 설비투자 축소를 계획하고 있다. 20일 업계에 따르면 SK하이닉스는 유일한 해외 D램 생산 기지인 우시 공장의 반도체 생산량을 줄이고 있다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 우시 공장 전체 생산량의 10~20% 정도를 감축하는 것을 목표로 감산에 들어간 것으로 추정한다. 우시 공장은 12인치 웨이퍼 기준 월 19만 장의 생산 능력을 가졌다. 이는 SK하이닉스 전체 D램 생산량의 절반가량을 차지한다. 구형(레거시) 제품에 속하는 10나노 1세대(1x)와 2세대(1y) D램 제품을 주로 생산한다. SK하이닉스가 우시 공장 생산량을 감축하는 것은 지난해 하반기부터 IT 시장에 불어닥친 수요 한파 때문이다. 금리와 물가 상승으로 전방 산업이 불황을 겪자 SK하이닉스의 주력인 메모리 사업도 직격탄을 맞게 됐다. SK하이닉스는 지난해 4분기 10년 만에 영업손실을 기록할 것으로 예상된다. 이에 노종원 SK하이닉스 사장은 최근 3분기 실적 발표회에서 “시장 수요 급감에 따라 수익성 낮은 제품들을 중심으로 웨이퍼 투입을 재검토하고 있다”며 감산 가능성을 시사한 바 있다. 이후 레거시 제품 위주의 우시 공장 생산량을 조절하면서 수요 위축에 대응하고 수익성을 극대화하는 전략을 모색하는 것으로 보인다. 반도체 생산량 감산, 투자 축소는 SK하이닉스만의 문제가 아니다. 관세청에 따르면 지난해 4분기 한국의 메모리 반도체 수출액은 2021년 4분기 대비 42%나 감소한 108억 118만 달러(약 13조 3470억 원)를 기록했다. D램 3위 업체인 마이크론은 웨이퍼 투입량을 지난해보다 20% 줄이기로 결정했다. 일본 낸드플래시 업체 기옥시아도 지난해 10월부터 웨이퍼 투입량을 기존 대비 30% 축소한다고 발표하는 등 세계 곳곳에서 감산 기조가 이어지고 있다. 세계 메모리반도체 1위인 삼성전자(005930) 역시 사상 초유의 메모리반도체 불황으로 생산량 조절을 피할 수 없을 것이라는 전망이 나온다. -
SK하이닉스 최신형 서버용 D램, 인텔 CPU 적용 인증…4세대 최초
산업 기업 2023.01.12 10:32:42SK하이닉스(000660)가 자사의 최신형 DDR5 서버용 D램이 인텔이 최근 출시한 신형 중앙처리장치(CPU)에 적용할 수 있다는 인증을 받았다고 12일 밝혔다. 이번에 인텔 인증을 받은 제품은 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램이다. 1a DDR5는 최첨단 극자외선(EUV) 노광공정이 적용된 메모리다. 10나노급 4세대 D램 중 인텔의 인증을 받은 건 SK하이닉스 제품이 처음이다. 인텔은 지난 10일 최초로 DDR5를 지원하는 신형 CPU ‘사파이어래피즈’(4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서)를 공개했다. 시장에서는 사파이어래피즈 출시와 함께 서버용 D램 주력 제품이 기존 DDR4에서 DDR5로 빠르게 교체될 것으로 예상하고 있다. SK하이닉스의 DDR5는 DDR4 대비 전력 소모량이 최대 20% 절감되고 성능은 70% 이상 향상됐다. 우수한 전성비(전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량비)와 탄소배출 절감 효과를 기대할 수 있다. 이와 함께 SK하이닉스는 10나노급 2세대(1y) DDR5 제품에 대해서도 인텔의 인증을 받았다. 글로벌 반도체 업계가 다운사이클(하강 국면)에 접어든 상황에서 인텔의 신제품 CPU 출시는 업계 반등의 시발점이 될 것으로 기대를 모은다. 신형 서버용 CPU 출시에 따라 데이터센터의 교체 수요가 나타나고 이 과정에서 메모리 수요도 늘어날 것으로 예상된다. 류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당(부사장)은 “인텔 사파이어래피즈 출시에 맞춰 다수 고객사에게 DDR5를 공급하기 위해 긴밀한 협업을 진행하고 있다”며 “향후 지속 성장세를 탈 것으로 전망되는 서버용 메모리 시장에서 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 인텔과 협업해 DDR5 백서를 발행했다. 백서에는 사파이어래피즈에서 작동하는 DDR5의 성능과 특장점 등이 세부적으로 담겼다. -
"삼성전자 목표가 7.5만→8만원…하반기 D램 가격 반등"
경제 · 금융 경제·금융일반 2023.01.05 08:35:07KB증권이 삼성전자(005930)의 목표주가를 7만 5000원에서 8만 원으로 5일 상향 조정했다. KB증권은 올해 하반기부터 D램과 낸드 메모리 가격이 상승 전환하며 삼성전자의 실적도 개선될 것으로 예측했다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 “현재 삼성전자 주가는 메모리 다운사이클 우려가 선 반영된 것으로 보이며 지금은 하반기 실적개선을 고려한 주가반등을 기대할 시점으로 판단된다”고 밝혔다. KB증권은 삼성전자가 2023년 메모리 설비투자를 기존 계획대비 15% 축소할 것으로 예측했다. 김 본부장은 “3분기부터 메모리 가격하락 속도가 예상을 상회하며 2023년 상반기에 삼성전자 메모리 부문이 2009년 1분기 이후 14년 만에 적자가 예상되기 때문”이라며 “삼성전자는 2023년 예정된 D램, 낸드 신규증설과 공정전환 계획을 일부 지연시킬 것으로 추정된다. 2023년 3분기부터 D램, 낸드 수급은 공급축소와 재고감소 효과로 개선이 시작될 것”이라 예측했다. 김 본부장은 "재고 축소에만 주력 중인 북미 서버업체와 중국 모바일 업체들의 하반기 메모리반도체 구매 수요를 자극할 가능성이 커질 것"이라고 전했다. 이날 KB증권에 따르면 삼성전자의 4분기 매출액은 71조 원, 영업이익은 4조 8000억 원 수준으로 추정된다. 영업이익이 직전 추정치(5조 8000억 원) 대비 1조 원 가량 감소한다는 전망이다. 김 본부장은 “6일 발표 예정인 삼성전자 4분기 잠정실적의 실적이 부진할수록 2023년 메모리 투자축소 필요성이 커질 것으로 보여 주가에는 오히려 긍정적 영향이 기대된다”고 말했다. -
[강해령의 하이엔드 테크] 삼성전자 12나노급 D램에 관한 7가지 흥미로운 이야기 <2>
산업 기업 2022.12.30 07:37:01독자님, 안녕하세요. '삼성전자(005930) 12나노급 D램에 관한 7가지 흥미로운 이야기' 2편입니다. 1편에서는 D램의 역할과 생산성, 전력 효율성에 대해서 살펴봤습니다. 2편에서는 신규 D램의 속도 계산법, DDR5와 EUV, 커패시터에 대해 알아보겠습니다. 4. 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 이번 제품 동작 속도에 대한 이야기부터 시작해보겠습니다. 7.2Gbps가 대체 뭘까. Gbps는 '초당 기가비트(Gigabit Per second)'입니다. 위에서 비트는 데이터의 최소 단위이고, 기가(G)는 대략 10억이라고 설명드렸죠. 네. 7.2Gbps는 7.2X10억, 그러니까 D램 속 약 72억개 기억 공간에 있는 0 또는 1을 단 1초만에 동시에 빼거나 집어넣을 수 있다는 얘깁니다. 뒤에 나오는 기가바이트(GB) 중 바이트는 데이터 한 묶음의 단위입니다. 1바이트는 8개의 0또는 1(비트)로 이뤄진 일종의 정보 꾸러미입니다. ‘00000000’부터 ‘11111111’까지. 2의 8승, 1바이트에는 총 256가지 경우의 수가 나오겠네요. 아무튼 그래서 간략하게 비트와 바이트 관계를 정리하면 '8비트(b)=1바이트(B), 또는 1비트= 0.125바이트'입니다. 오, 근데 자료만 보면 조금 이상한 계산이 나옵니다. 7.2Gb를 1초에 전송한다…'1비트=0.125바이트' 식에서 양변에 7.2를 곱하고 G를 갖다붙이면 초당 0.9GB 데이터만 전송하는 거 아닌가? 어떻게 60GB(30GB 영화 2편)이라는 값이 나올까. 궁금해서 좀 더 알아봤습니다. 그랬더니 여기선 두 가지 더 설명할 게 있었습니다. 먼저 '핀(Pin)'의 개념입니다. 핀은 D램 속 정보가 안팎으로 왔다갔다 할 수 있는 통로입니다. 회사·학교 입출구(I/O)와 엘리베이터로 이해하면 쉽습니다. 이번에 개발한 D램 속에는 8개 핀이 탑재됐다고 합니다. 이 핀당 데이터 처리 속도가 7.2Gbps라고 합니다. 두 번째, 이 계산은 이번 12나노 급 D램 모듈 단위로 봐야 합니다. 이번 제품에는 한 모듈 당 8개 D램이 장착됐다고 해요. 그러니 1개 D램 칩이 아닌, 1개 모듈 속 8개 D램 칩이 합심해서 영화를 처리한 속도를 계산한다고 봐야 합니다. 그러니까 복잡하지만 다시 정리해보면 7.2(Gb에서 출발) X 0.125(GB 단위로 환산 완료) X 8(핀 수 계산 완료) X 8(모듈 당 D램 개수 계산 완료) = 57.6. 거의 60GB에 가까운 값이 나오게 되네요. 핀과 모듈의 존재감을 잊지 말아야 할 것 같습니다. 5.업계 최초 12나노급 16Gb "DDR5 D램" 개발 DDR5라는 용어는 이미 언론 기사에서도 참 많이 다뤄져서 간략하게만 설명하겠습니다. DDR5는 D램 회사와 각종 IT 업체들이 정한 D램 규격입니다. 지난 2013년 DDR4가 지정된 데 이어 2020년엔 DDR5가 제정됐습니다. AI, 가상현실, 클라우드 시대로 데이터가 폭발하니까 "고도화한 D램 스펙을 '표준화'해서 전자부품·기기 업체들이 수월하게 D램을 호환할 수 있도록 해보자"고 만든 게 DDR5입니다. 다양한 D램 회사들은 통상 이 규격 안에서 칩을 만들게 됩니다. 한 예로 이번에도 삼성은 DDR5 규격에 맞춰 16Gb D램을 냈죠. 32, 64Gb 개발도 조만간일 듯 합니다. 표에서 보실 수 있듯 전반적으로 전송 속도와 용량이 쭉쭉 늘어났고, 동작 전압은 낮춘 것이 특징입니다(부피 축소가 주요 원인으로 추론할 수 있죠?). 내년부터 인텔 등 글로벌 프로세서 회사가 DDR5가 호환되는 CPU를 생산하면서 D램 업계도 새로운 전환점을 맞게 됐죠. D램 불황기로 침체된 분위기 속에서 과연 DDR5가 역전의 키워드가 될 수 있을지 지켜봐야겠습니다. 향후 DDR5의 점유율도 시장조사업체 옴디아의 전망치를 참고해주세요. 6. 멀티 레이어 EUV 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. EUV 역시 참 많이 언급되는 이야기이죠. 삼성전자는 14나노 D램을 12나노급으로 줄일 수 있었던 핵심 기술로 EUV를 소개했습니다. EUV는 반도체 회로 모양을 빛으로 찍어내는 노광 공정에서 활용되는 광원(光源)입니다. 기존 불화아르곤(ArF) 빛보다 파장이 14분의 1 짧아서 얇은 회로를 더 정교하고 반듯하게 찍어낼 수 있죠. 삼성전자는 2021년 10나노 1세대(게이트 폭이 10나노 후반대인) D램에 EUV를 첫 적용한 이후 점차 확대 중입니다. 실제 전작인 14나노 D램에선 5개 레이어(알려지기로는 D램 레이어는 총 50~60개로 구성됐다고 합니다)에 EUV가 쓰인 것으로 전해지고요. 이번엔 더 발전해 5개 이상의 회로 공정에 EUV가 활용됐을 것으로 보입니다. SK하이닉스도 이미 EUV 기술로 D램을 만들고 있고, 미국 마이크론 테크놀로지도 EUV 도입을 준비하고 있습니다. D램 업체들의 EUV 활용 전략도 향후 D램 업계의 상당한 이슈가 될 것 같습니다. 7. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높였다. 마지막 이야기입니다. '기억의 공간' 속 커패시터 얘기를 해보려고 합니다. D램에서는 트랜지스터의 대문인 '게이트'에 전압이 걸리고, 통로(채널)가 개방되면 전기 알갱이들이 질주해 들어가면서 커패시터로 쏙 들어가 자리를 틀게 되죠. 커패시터가 저장하고 있는 전하 종류에 따라 디지털 신호가 0 또는 1로 구분됩니다. 따라서 커패시터 성능은 굉장히 중요합니다. D램은 특성 상 전기 알갱이가 언제든지 도망나갈 수 있는 메모리라서요. 만약 전기 알갱이가 커패시터로 들어왔다면 못 도망가게 잘 움켜잡아야 합니다. 잡아야 할 것을 놓치는 순간 문제가 생기는 겁니다. 그래서 커패시터 내부에는 유전(揄電·끌어들일 유, 전기 전)율이 높은 물질, 즉 전기 알갱이들을 잘 끌어들여서 꽉 붙잡을 수 있는 소재로 도배를 해놓습니다. 이 커패시터 막의 유전율은 갈수록 중요해지고 있습니다. 기억의 공간 면적이 줄어들면 커패시터의 크기도 줄어들고 유약해지기 마련이죠. 몸집이 줄어들면 유전율이 큰 소재라도 채워놓아야 예전에 발휘했던 카리스마를 발휘할 수 있습니다. 지금까지 커패시터 유전막은 유전율이 좋은 소재 조합으로 알려진 지르코늄-알루미늄-지르코늄(ZAZ) 층으로 만들어졌는데요. 업계에 따르면 이 ZAZ 조합에 좀 더 다양한 물질을 배합해서 유전율을 높이기 위한 방법을 칩 제조사에서 고안해내고 있다고 합니다. 커패시터 소재 기술. 어디까지 진화할까요? 지금까지 삼성전자 12나노 D램 보도자료를 자세히 뜯어봤습니다. 사실 내용이 너무 생소하고 쉽지 않지만, 앞으로 나올 D램 기술의 변화 포인트를 짚어보는 것도 큰 재미인 것 같습니다. 내년 D램 기술 시장에서는 과연 어떤 일이 벌어질 지 기대하면서 이번 연재물 마무리합니다. 독자 여러분, 올해도 정말 고생 많으셨습니다. 내년에 더 좋은 내용으로 찾아뵙겠습니다. :) -
삼성전자 12나노급 D램에 관한 7가지 흥미로운 이야기 [강해령의 하이엔드 테크]
산업 기업 2022.12.30 07:36:51독자 여러분, 안녕하세요. 지난 21일 삼성전자(005930)에서 새로운 D램 반도체를 출시했죠. 일명 12나노급 16Gb DDR5 EUV D램. 처음 보신 분들은 나열된 용어들이 마치 암호처럼 느껴지실 수도 있을 것 같은데요. 그래서 준비했습니다. 간단하게 삼성전자에서 설명한 보도자료 원문의 키워드를 가져와서 이 D램이 어떤 반도체인지, 어떤 의미를 지니고 있는지 살펴보려고 합니다. 총 7가지 재밌는 이야기를 발견할 수 있었습니다. 총 두편으로 나뉩니다. 1편에서는 총 3가지 이야기를 다룹니다. 2편에서는 나머지 4개 스토리를 담고 있습니다. 1. 삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 개발 D램이 무슨 장치인지부터 짚고 넘어가봅시다. D램은 골프로 따지면 '캐디'와 비슷한 역할입니다. 골퍼가 탁 트인 골프장에서 스윙을 한다고 가정해볼까요. 캐디는 바로 옆에서 가방을 들고 다니면서 상황에 따라 필요한 골프채를 건네죠. 풍향, 현재 위치 등을 꼼꼼하게 기록해뒀다가 스윙 직전에 귀띔을 해주기도 합니다. D램은 캐디 같습니다. 중앙처리장치(CPU)가 전자기기가 필요한 각종 데이터 연산에 집중한다면요. D램은 CPU 바로 옆에서 연산에 필요한 정보를 기억했다가 빠른 속도로 전달하는 장치입니다. 사실 이 역할을 하는 1차 메모리는 'S램'이 있습니다. 그러나 S램은 용량이 아주 작아서 정말 급한 용무만 해결하고요. 대부분 정보 저장과 CPU와의 정보 공유는 용량이 큰 D램이 합니다. '주 기억장치'라고 불리는 이유죠. 그럼 D램 바로 앞 수식어인 '12나노급'은 무엇일까. 먼저 D램 속을 좀 자세히 들여다봐야 합니다. 먼저 전기 알갱이, 즉 전자를 저장하는 기다란 통 모양 '커패시터'가 가장 눈에 띕니다. 저장소 속에 전자들이 꽉꽉 채워지거나 빠지면서 '0' 또는 '1'이라는 디지털 신호를 기억하는 곳입니다. 커패시터 앞에는요. 전하들이 저장소로 도달하거나 그렇지 못하도록 교통정리를 하는 녀석이 있습니다. 이 친구를 '트랜지스터'라고 합니다. 지금부터 트랜지스터와 커패시터를 합쳐서 '기억의 공간'이라고 부르겠습니다. 전문 용어로는 'D램 셀(Cell)'입니다. 12나노급이라는 표현은 말이죠. '트랜지스터' 안에서 전자가 이동하는 통로(채널) 폭이 12.몇 나노미터(㎚·10억분의 1m) 정도 된단 얘기입니다. 이 길이는 갈수록 짧아지고 있습니다. 12나노급 D램 개발 직전인 2021년 10월 삼성전자가 14나노 D램을 개발했다고 발표했죠. 최신작인 12나노급 D램은 전 세대보다 채널의 길이를 약 1.몇 nm 더 작게 만들었다는 걸로 풀이할 수 있습니다. 2. 12나노급 16기가비트(Gb) D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 아니 그러면, 이 채널의 길이는 왜 점점 줄이려는 걸까. 다양한 원인이 있는데요. 가장 큰 이유는 생산성과 직결되는 문제이기 때문입니다. 트랜지스터 채널의 길이, 즉 선폭을 줄일수록 이익을 더 많이 남길 수 있다는 이야기죠. 조금 더 자세히 이야기해 봅시다. D램 안에 있는 기억의 공간은 한 두개만 있는 게 아닙니다. 이번 보도자료에서 언급된 16Gb가 바로 '기억의 공간' 개수를 나타내는데요. Gb에서 비트(b)는 0또는 1을 의미합니다. 기가(G)는 2의 30승, 약 10억을 뜻하고요. 그러니까 16Gb는 160억 여개의 0 또는 1을 저장하는 '기억의 공간'이 한 칩 속에 들어가있단 걸 뜻합니다. 자, 14나노에서 12나노급으로 줄어들었다는 건 이 160억개 기억 공간의 게이트 길이가 일제히 줄어들었다는 걸 뜻합니다. 그럼 어떤 일이 벌어질까요. 같은 스펙으로 기억 공간을 160억개 만들더라도 폭이 줄었으니 더 몸집이 작은 D램 칩이 나오게 됩니다. 이젠 나무가 아닌 숲을 봅시다. 반도체는 동그란 웨이퍼 위에 만들어집니다. D램 칩이 확 작아지면 한 개 웨이퍼에 생산할 수 있는 D램 수가 더 많아진다는 얘기이기도 합니다. 그럼 한 웨이퍼 위에 더 많은 D램을 만들 수 있는 거니까 물량이 훨씬 늘어나고, 양이 늘어났으니 D램 가격을 다른 곳보다 낮출 수 있겠네요. 한마디로 더 싸고 좋게 만들 수 있다는 겁니다. 삼성전자는 이번 기술 개발로 D램 생산성을 20% 올렸다고 밝혔습니다. 생산성 향상의 기준을 정확히 확인할 수는 없습니다. 허나 만약 이 기준을 칩 개수로 가정한다면 한 개 웨이퍼에서 1000개 만들 걸 1200개로 늘렸다는 '추측'을 할 수 있겠습니다. 또 만약 동일하게 1000개를 만든다고 해도 동일 면적에 트랜지스터가 더 많이 들어간, 용량 큰 메모리를 만들 수 있단 의미이기도 하겠네요. 기술의 발전입니다. 어느 쪽이든 웨이퍼 한 장이 갖는 부가가치는 커지는 셈입니다. 채널 폭을 줄이는 이유는 생산성 외에도 다양합니다. 우선 D램 속도가 빨라집니다. 이걸 우리 사는 세상에 비유하면요. 마치 출퇴근·등하교길이 짧아지는 것과 같습니다. 같은 속도라도 거리가 짧아지면 데이터가 훨씬 빨리 이동할 수 있겠죠? 세상은 범람하는 데이터를 빨리 처리하기 위해 속도감 죽이는 D램을 원합니다. 따라서 채널 길이를 줄면서 D램 속도를 높여나가는 게 D램 회사들의 미션입니다. 3. 이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다 게이트 길이를 줄이면 에너지 효율에도 긍정적인 영향을 줍니다. '기억의 공간'에는 이들이 열심히 정보를 쓰고 지우고, 유지하는 일을 할 수 있도록 '전압'을 제공해줘야 합니다. 이때 필요한 전력들이 트랜지스터와 큰 연관이 있습니다. 트랜지스터 선폭이 짧아지면 말이죠. 동작 전압과 전류가 낮아져서 전력 효율 향상으로 이어집니다. 반대로 D램이 열심히 일하지 않고 저장된 전자들을 가두고만 있을 때도 전력 소모가 있습니다. 전자들이 새어나가면서 원치 않는 전류의 흐름이 발생하기 때문인데요. 문제는 게이트의 선폭이 줄어들수록 그런 전력 소모가 많아진단 겁니다. 아무래도 게이트가 좁아지면 탈출구까지 거리가 짧아지는 셈이니 질풍노도의 전기 알갱이들이 더 잘 도망다니는 것이죠. 트랜지스터 채널 길이가 짧아지면서 발생하는 비이상적 현상, 이른바 숏 채널 효과가 핵심 키워드입니다. 이 문제가 심화하면서 학계와 산업계에서는 원치 않는 전력 소모를 줄일 새로운 방안을 찾고 있습니다. 종합해보면 이번에 삼성이 소비전력을 23% 개선했다는 건 △'기억의 공간' 채널 단축과 면적 축소로 동작에 활용되는 전압이 낮아지고 △누설 전류를 줄일 수 있는 다양한 소재·설계 기술을 복합적으로 결합해 에너지 효율을 도모했을 가능성이 큽니다. 스마트폰에서든 데이터센터에서든 사용자가 동일 용량의 D램을 사용했을 때 전력 소모가 감소되는 것은 꽤 의미있는 일입니다. 다만 한가지 더. 사실 전력 효율 이야기가 나온 김에 전력 소모에 대한 거시적인(?) 고민도 한번 짚어봐야 합니다. 한 개 D램 '기억의 공간' 전력이 20% 이상 줄었다고 해도 말이죠. 전체 ‘웨이퍼’ 수준에서도 전력 소모가 이만큼 줄었는지 한번 냉정하게 생각해볼 필요도 있습니다. 이건 또 무슨 이야기냐고요. 2번에서 이야기한 “동일한 1000개를 만들더라도 더 많은 트랜지스터를 집어 넣을 수 있다”는 설명과 관련 있습니다. 위 그림과 함께 극단적 예를 봅시다. 어떤 12인치 웨이퍼에 단 1개 트랜지스터를 만들 수 있다고 봅시다. 이 트랜지스터의 가로, 세로 폭을 절반으로 줄이는 획기적인 공정 기술이 개발됐다고 가정할게요. 그럼 같은 면적에 4개의 트랜지스터를 집어넣을 수 있게 되겠죠? 반도체 소자 설계 룰에 따르면요. 트랜지스터 크기가 줄면 전류와 전압도 그만큼 줄어듭니다. '전력=전류 X 전압' 공식을 적용하면 1/2 x 1/2니까 한 '기억의 공간' 전력은 기존보다 4분의 1로 줄어듭니다. 이까지는 좋죠? 그런데 문제는 이 광경을 더 높이서 봤을 때 보입니다. 우리는 아까 1개 트랜지스터를 만들 자리에 결과적으로 4개 트랜지스터를 집어넣을 수 있게 됐다고 했는데요. 그럼 각각 트랜지스터의 전력 합해볼까요? 1/4 X 4라서 결국 1. 12인치 웨이퍼 전체에 심어진 새로운 트랜지스터들의 전력 합은 기존 1개 커다란 트랜지스터 전력량과 같다는 결론에 이르게 됩니다. 웨이퍼가 아닌 칩 단위로 잘라서 보더라도 마찬가지 이야기가 됩니다. 만약 기술 고도화로 8Gb(8억개 셀) 칩 면적에 전력 개선을 한 트랜지스터16Gb(160억 개 셀)를 심었다고 해도, 전체 전력은 기존과 큰 차이가 없을 것이라는 결론이죠. 물론 D램 안에는 트랜지스터 외 다른 요소와 변수가 너무 많아서 트랜지스터 축소만으로 전력 효율성을 따지긴 힘듭니다. 다만 트랜지스터 동작 전력이 D램에서 꽤 중요한 부분을 차지한다는 점에서 그냥 넘어갈 문제도 아닙니다. 다만 면적 축소와 함께 전력 효율성을 획기적으로 올릴 수 있는 방안이 마련돼야 한다는 의견이 나옵니다. D램 전문가 조성재 가천대 교수는 "동작전압을 낮추고 원치않는 누설 전류를 최소화하는 것이 가장 큰 과제"라며 "특히 정보 유지 시간을 늘리고 비동작시 전력 소모를 낮추려면 누설 전류를 막는 일이 상당히 중요한데, 신뢰성 있는 소재와 독특한 구조 관련 원천 기술을 개발하는 것이 핵심"이라고 설명했습니다. 2편으로 넘어갑니다. 2편에서는 D램의 속도, DDR5와 EUV, 커패시터에 관한 이야기가 나옵니다. -
삼성의 초격차…'12나노급 D램' 첫 개발
산업 기업 2022.12.21 17:47:53삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용한 12㎚(나노미터·10억분의 1m)급 D램을 개발을 완료하고 내년 양산을 시작한다. 글로벌 정보기술(IT) 시장 성장세 둔화로 D램 수요 역시 위축되는 가운데 기술 ‘초격차’로 시장 1위와 시장 지배력을 굳건히 지켜간다는 전략이다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 22일 글로벌 전략회의를 열고 내년 들이닥칠 불황을 타개할 방법을 모색한다. 21일 삼성전자는 12나노급 공정 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발을 완료했다고 밝혔다. 지난해 10월 14나노급 D램을 생산한 지 1년 2개월 만에 새로운 제품을 개발해낸 것이다. 삼성전자는 이번 제품의 다수 층에 첨단 EUV 기술을 적용해 세계 최고 수준의 연산장치(트랜지스터) 집적도를 구현했다. 생산성 역시 기존보다 약 20% 올랐다. 또 전기 알갱이(전하)를 저장하는 커패시터에 신소재를 적용해 용량이 높아졌다. DDR5 규격을 충족하는 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. DDR5 D램 시대는 내년 1월 개화할 것으로 예상된다. 세계 유력 중앙처리장치(CPU) 회사들이 DDR5가 호환되는 칩을 양산하기 시작하면서다. 삼성전자는 2026년 전체 D램의 46%를 차지할 것으로 예상되는 DDR5 D램 시장에서 세계 최고 수준의 기술로 일찌감치 우위를 점하는 전략을 취할 것으로 보인다. 삼성전자는 2023년부터 12나노급 D램을 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 이미 세계 최고의 반도체 설계 회사 AMD와도 호환성 검증을 마쳤다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “뛰어난 성능과 전력 효율을 바탕으로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다. 한편 삼성전자 DS 부문은 22일 하루 동안 글로벌 전략회의를 개최한다. 삼성전자 글로벌 전략회의는 매년 6월과 12월 두 차례 국내외 삼성전자 임원급 인사들이 모여 사업 부문별·지역별로 현안을 공유하고 내년 사업 목표와 영업 전략 등에 대한 의견을 나누는 자리다. 완성품 사업을 영위하는 디바이스경험(DX) 부문은 15일과 16일 이 회의를 마쳤고 DS 부문은 경계현 대표이사의 주재로 개최된다. 삼성전자 DS 부문의 이번 글로벌 전략회의 화두는 내년 반도체 불황기 타개 방안이 될 것으로 보인다. 인플레이션 심화, 고금리 현상에 따른 IT 수요 둔화로 세계 반도체 시장에도 적신호가 들어오면서 내년 삼성전자 반도체 실적도 하락할 것으로 전망된다. 골드만삭스는 올 4분기 삼성전자 반도체 부문 영업이익 전망치를 기존 2조 6000억 원에서 1조 5000억 원으로 42%나 내리는 등 시장 곳곳에서 암울한 관측이 이어지고 있다. 이에 D램, 낸드플래시 사업을 담당하는 메모리사업부는 내년 시황을 철저하게 점검하고 각종 투자·개발 방안을 수립할 것으로 예상된다. 메모리사업부는 올 10월부터 시장 악화와 경쟁사 투자 감축에도 인위적인 감산 없이 꾸준한 투자를 지속하겠다는 자신감을 내비치고 있다. 파운드리 사업부 역시 설비투자와 기술 개발, 핵심 고객사 확보 전략을 위해 머리를 맞댈 것으로 예측된다. 파운드리 사업부는 6월 업계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 고객사와 협력을 타진하고 있다. -
“1초에 UHD 영화 2편 처리”…삼성전자, 세계 최초 EUV 적용 12나노 D램 개발
산업 기업 2022.12.21 11:00:00삼성전자(005930)가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용한 12나노(㎚·10억분의 1m) D램을 개발을 완료하고 내년 양산을 시작한다. 21일 삼성전자는 12나노 공정 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발을 완료했다고 밝혔다. 삼성전자는 제품 다수 층에 첨단 EUV 기술을 적용해 세계 최고 수준의 연산장치(트랜지스터) 집적도를 구현했다. 생산성도 이전 세대 제품 대비 약 20% 향상했다. 또 신소재 적용으로 전기 알갱이(전하)를 저장하는 커패시터의 용량을 높였다. DDR5 규격을 충족하는 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 삼성전자는 2023년부터 12나노급 D램을 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 세계 최고의 반도체 설계 회사 AMD와도 호환성 검증을 마쳤다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "뛰어난 성능과 전력 효율을 바탕으로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다. -
SK하이닉스, 내년 하반기 서버용 D램 수요 증가로 반등
산업 기업 2022.12.20 14:06:50SK하이닉스 주가가 내년 하반기 서버용 D램 성장과 함께 반등할 것이라는 주장이 나왔다. SK하이닉스 뉴스룸은 20일 김영건 미래에셋증권 리서치센터 반도체분야 선임연구위원의 시장 전망을 인터뷰 형식으로 게재했다. 김 위원은 이 인터뷰에서 “현재 전반적 업황 악화가 이어지다가 내년 하반기 반등의 전환점을 맞이할 것”이라고 밝혔다. 그는 내년 1월 인텔의 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU) ‘사파이어 래피즈’ 출시로 메모리 반도체 시장이 활성화될 것이라고 밝혔다. SK하이닉스는 차세대 서버 시장 흐름에 대응하기 위해 서버용 D램 기술 개발에 박차를 가하고 있다. SK하이닉스는 최근 최고속 서버용 D램 ‘MCR DIMM’ 개발에 성공했다. 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 분야에도 공을 들이고 있다. 지난 8월 SK하이닉스는 현존 최고층인 238단 낸드플래시 개발에 세계 최초로 성공해 초고용량 서버 시대에 대응한다. 김 위원은 “주식 시장에서 SK하이닉스 가치 평가 지표를 고려하면 현재 주가는 과도하게 저평가돼 있다”며 “머지않아 메모리 반도체 업계의 봄날은 다시 찾아올 것”이라고 강조했다. -
삼성, D램 매출 34% 하락…글로벌 점유율 40% 유지 [뒷북비즈]
산업 기업 2022.12.16 07:20:00글로벌 경기 침체 여파로 인한 메모리반도체 업황 악화로 삼성전자(005930)의 D램 매출이 지난 3분기 무려 34.2%나 하락했다. 16일 글로벌 시장조사 업체 옴디아에 따르면 올 3분기 글로벌 반도체 업계의 D램 매출은 175억 4800만 달러로 지난 2분기(249억 8400만 달러)보다 29.8% 감소했다. 특히 업계 1위인 삼성전자의 매출(71억 3300만 달러)은 한 분기 만에 34.2%나 줄었다. 시장점유율도 43.4%에서 40.6%로 2.8%포인트 하락했다. 2위인 SK하이닉스(000660)의 매출(52억 4600만 달러)은 전 분기보다 25.3% 감소한 것으로 조사됐다. 시장점유율은 28.1%에서 29.9%로 1.8%포인트 상승했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 점유율 격차는 고작 10.7%포인트로 좁혀졌다. 두 회사 간 점유율 차이는 올 1분기 15.6%포인트, 2분기 15.3%포인트를 기록했으나 3분기에는 지난해 4분기(11.8%)보다도 더 줄어들었다. 3위인 마이크론의 매출은 26.3% 감소한 43억 5000만 달러였다. 마이크론의 시장점유율은 23.6%에서 24.8%로 1.2%포인트 올랐다. D램 시장 규모가 이 같이 쪼그라든 것은 글로벌 소비 위축으로 제품 가격 자체가 급락하고 있기 때문으로 풀이된다. 시장조사 업체 D램익스체인지에 따르면 올 10월 D램과 낸드플래시 고정 거래 가격은 각각 22.46%, 3.74% 하락했다. 앞서 대만 시장조사 업체 트렌드포스는 삼성전자의 3분기 D램 매출이 전 분기보다 33.5% 감소했고 시장점유율도 40.7%로 2.8%포인트 하락했다고 분석한 바 있다. 다만 삼성전자는 SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 생산량을 대폭 줄이겠다고 선언한 것과 달리 “감산 계획은 없다”는 입장을 고수하고 있다. 이를 두고 삼성전자가 단기적인 손실을 감수하고서라도 시장 지배력을 유지·확대하는 ‘치킨게임’에 돌입한 게 아니냐는 해석도 곳곳에서 나온다. -
삼성전자, D램 매출 34% 뚝…글로벌 점유율 40% 턱걸이
산업 기업 2022.12.15 14:29:57글로벌 경기 침체 여파로 인한 메모리반도체 업황 악화로 삼성전자(005930)의 D램 매출이 지난 3분기 무려 34.2%나 급감했다. 시장점유율도 40%대를 겨우 유지해 반도체 실적 수성에 비상이 걸렸다. 15일 글로벌 시장조사 업체 옴디아에 따르면 올 3분기 글로벌 반도체 업계의 D램 매출은 175억 4800만 달러로 지난 2분기(249억 8400만 달러)보다 29.8% 감소했다. 특히 업계 1위인 삼성전자의 매출(71억 3300만 달러)은 한 분기 만에 34.2%나 줄었다. 시장점유율도 43.4%에서 40.6%로 2.8%포인트 하락했다. 2위인 SK하이닉스(000660)의 매출(52억 4600만 달러)은 전 분기보다 25.3% 감소한 것으로 조사됐다. 시장점유율은 28.1%에서 29.9%로 1.8%포인트 상승했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 점유율 격차는 고작 10.7%포인트로 좁혀졌다. 두 회사 간 점유율 차이는 올 1분기 15.6%포인트, 2분기 15.3%포인트를 기록했으나 3분기에는 지난해 4분기(11.8%)보다도 더 줄어들었다. 3위인 마이크론의 매출은 26.3% 감소한 43억 5000만 달러였다. 마이크론의 시장점유율은 23.6%에서 24.8%로 1.2%포인트 올랐다. D램 시장 규모가 이 같이 쪼그라든 것은 글로벌 소비 위축으로 제품 가격 자체가 급락하고 있기 때문으로 풀이된다. 시장조사 업체 D램익스체인지에 따르면 올 10월 D램과 낸드플래시 고정 거래 가격은 각각 22.46%, 3.74% 하락했다. 앞서 대만 시장조사 업체 트렌드포스는 삼성전자의 3분기 D램 매출이 전 분기보다 33.5% 감소했고 시장점유율도 40.7%로 2.8%포인트 하락했다고 분석한 바 있다. 다만 삼성전자는 SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 생산량을 대폭 줄이겠다고 선언한 것과 달리 “감산 계획은 없다”는 입장을 고수하고 있다. 이를 두고 삼성전자가 단기적인 손실을 감수하고서라도 시장 지배력을 유지·확대하는 ‘치킨게임’에 돌입한 게 아니냐는 해석도 곳곳에서 나온다. -
원세미콘, 서버용 D램 모듈 RCD 칩 국내 최초 개발…대형 메모리 회사 납품 시작
산업 기업 2022.12.14 20:36:33원세미콘이 서버용 D램 모듈의 필수 부품인 고속 신호전달 칩(RCD)을 한국에서 처음으로 양산했다. 원세미콘은 지난 10월 국내 대형 고객사의 최종 평가를 성공적으로 완료하고 본격적인 양산을 시작했다. 이 회사가 국산화한 RCD 칩은 서버용 D램 모듈에 반드시 장착되어야 하는 메모리용 시스템 반도체다. 메모리 컨트롤러와 D램 칩 사이에 위치해 모듈 안에서 일어나는 명령과 신호를 분배하면서 '교통정리'를 하는 역할을 한다. 그간 한국에서 RCD 칩을 생산하는 회사는 단 한 군데도 없었다. 세계 서버용 D램시장의 절대적 우위를 점하고 있는 국내 반도체 대기업마저도 미국, 일본, 중국 소재 3개 업체에서 전량 수입해 사용하고 있는 실정이었다. 원세미콘은 20년 이상 반도체 경험을 가진 실력자들이 2018년 8월 의기투합해 설립했다. 원세미콘은 이번 RCD 칩 양산 시작과 함께 컴퓨팅 시대에 필요한 고속 인터페이스 칩 개발도 병행하고 있다. 이들은 국내 파운드리·패키징&테스트 산업 등에 선순환 효과를 줄 수 있는 세계 최고 수준 팹리스 회사로 거듭나겠다는 포부다. 김창현 원세미콘 김창현 대표는 “회사는 고속 신호처리 기술을 주축으로 메모리 분야에 필요한 다양한 시스템 반도체 제품을 개발하는 중"이라며 "2030년에는 세계 최고 수준의 팹리스 회사로 거듭날 것”이라고 강조했다.
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