日샤프-엘피다메모리 저항변화메모리 공동 개발

일본 샤프와 엘피다메모리가 차세대 메모리반도체인 저항변화 메모리(ReRam)를 공동 개발하기로 했다고 니혼게이자이신문이 13일 보도했다.

Re램의 경우 현재 일본 도시바와 한국의 삼성전자 등도 개발에 나서고 있다. 여기에 엘피다와 샤프가 연합전선을 구축해 가세하면서 Re램 개발경쟁은 한층 치열해질 전망이다.

두 회사는 오는 2013년 초까지 Re램 상용화를 목표로 삼았다. 샤프는 재료기술과 제조방법을, 엘피다는 미세가공기술 등을 제공해 서로 협력하며 실제 생산은 엘피다 공장에서 이뤄질 예정이다. 이번 공동개발 프로젝트에는 일본 국립첨단산업과학기술연구소와 도쿄대학 등도 참여한다.

니혼게이자이신문은 “두 회사는 공동 개발을 통해 Re램 생산에서 걸림돌로 작용하는 높은 생산비용을 낮출 수 있다”고 분석했다. 낸드(NAND) 플래시메모리 등 기존 메모리반도체는 성능향상을 위한 회로선폭의 미세화가 2010년대 중반께 한계에 달할 것으로 예상된다. 이 때문에 Re램 등 차세대 메모리반도체의 개발 성과에 따라 글로벌 반도체업계의 판세가 바뀔 수 있다고 니혼게이자이신문은 내다봤다.

두 회사가 개발하는 Re램은 낸드 플래시보다 1만배 빠른 속도로 정보를 처리할 수 있고, 소비되는 전력도 줄일 수 있다.