"연내 45나노 D램 대량생산" 日 엘피다 "삼성 따돌릴것"

일본 반도체기업인 엘피다 메모리가 빠르면 올해 내로 45나노급 D램의 대량생산에 돌입할 계획이다.

8일 니혼게이자이(日本經濟)신문은 이에 대해 "세계 반도체업계의 선두주자인 삼성전자보다 선수를 치겠다는 의도"라고 전했다. 45나노급 D램은 기존 제품에 비해 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모량도 적다.

45나노 D램을 생산하게 되면 하나의 웨이퍼(칩을 만드는 토대가 되는 얇은 규소판)로 기존 제품보다 40% 이상 더 많이 생산할 수 있게 된다. 또 삼성전자의 신제품에 비해서도 생산효율이 5~10% 늘어날 전망이다. 웨이퍼 한 장으로 얼마나 많은 칩을 생산할 수 있느냐는 반도체업계의 경쟁을 가름하는 주요 요소다.

엘피다는 현재 히로시마와 대만 공장에서 65나노ㆍ54나노급 D램을 생산중이며, 45나노급 D램 생산을 위해 300~400억엔(약 3,970억~5,920억원)을 투입할 예정이다. 이를 위해 2009 회계연도 말까지 대출과 기업공개(IPO)를 통해 2,000억엔의 자금을 확보한다는 계획이다.