스핀궤도토크(SOT) 기반 자성메모리(MRAM)의 개략도. 반강자성(IrMn)·강자성(CoFeB) 계면에 존재하는 교환결합을 이용해 외부자기장 없이 소자구동 가능하다. 반강자성 물질(IrMn) 내부에는 전자의 스핀이 인접한 스핀과 균일하게 반대로 정렬돼 있다./사진제공=미래창조과학부

스핀궤도토크에 의해 강자성 물질의 스핀 방향을 제어하는 소자개략도 및 주요 실험 결과. 외부자기장 없이 전류의 극성에 따라 스핀의 방향 제어가 가능하다./사진제공=미래창조과학부