이전
다음
이석희 SK하이닉스 사장이 미국 하와이에서 열린 VLSI 2022 행사에서 기조연설자로 나서 회사의 3D D램 콘셉트를 설명하고 있다. 사진제공=VLSI 2022 기조연설 캡처화면
SK하이닉스 3D D램 개념도. 트랜지스터를 3D 낸드플래시 셀처럼 평면이 아닌 수직으로 쌓은(Stackable) 것이 특징이다. 사진제공=SK하이닉스
이재용(오른쪽 세번째) 삼성전자 부회장이 ASML 네덜란드 본사를 방문해 하이-NA 노광 장비를 살펴보고 있다. 사진제공=삼성전자
이석희 SK하이닉스 사장이 미국 하와이에서 열린 VLSI 2022 행사에서 기조연설자로 나서 회사의 3D D램 콘셉트를 설명하고 있다. 사진제공=VLSI 2022 기조연설 캡처화면
SK하이닉스 3D D램 개념도. 트랜지스터를 3D 낸드플래시 셀처럼 평면이 아닌 수직으로 쌓은(Stackable) 것이 특징이다. 사진제공=SK하이닉스
이재용(오른쪽 세번째) 삼성전자 부회장이 ASML 네덜란드 본사를 방문해 하이-NA 노광 장비를 살펴보고 있다. 사진제공=삼성전자